发明名称 |
一种对硅片进行气体线切割的装置 |
摘要 |
本发明公开了一种对硅片进行气体线切割的装置,该装置包括流量控制器、减压阀、压力表、真空泵、真空腔压力表、真空腔温度控制装置、真空腔室、喷头、掩蔽板、硅片架、后级泵和尾气处理装置,其中:减压阀、真空泵、真空腔压力表、真空腔温度控制装置和后级泵分别连接于真空腔室,气体依次通过流量控制器、减压阀和喷头进入真空腔室,然后经过掩蔽板的掩蔽和束流汇聚调节,对硅片架上的硅片进行切割,真空腔室通过真空腔温度控制装置将温度控制在室温环境下,刻蚀完的尾气通过后级泵抽出真空腔室,并由后级泵进入尾气处理装置。本发明利用三氟化氯作为刻蚀反应气体,对硅片进行切割加工,能很好的解决传统技术存在的问题。 |
申请公布号 |
CN101880878A |
申请公布日期 |
2010.11.10 |
申请号 |
CN200910083497.7 |
申请日期 |
2009.05.06 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
景玉鹏;惠瑜 |
分类号 |
C23F1/08(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I;B81C5/00(2006.01)I |
主分类号 |
C23F1/08(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
一种对硅片进行气体线切割的装置,其特征在于,该装置包括流量控制器(1)、减压阀(2)、压力表(3)、真空泵(4)、真空腔压力表(5)、真空腔温度控制装置(6)、真空腔室(7)、喷头(8)、掩蔽板(9)、硅片架(10)、后级泵(11)和尾气处理装置(12),其中:减压阀(2)、真空泵(4)、真空腔压力表(5)、真空腔温度控制装置(6)和后级泵(11)分别连接于真空腔室(7),气体依次通过流量控制器(1)、减压阀(2)和喷头(8)进入真空腔室(7),然后经过掩蔽板(9)的掩蔽和束流汇聚调节,对硅片架(10)上的硅片进行切割,真空腔室(7)通过真空腔温度控制装置(6)将温度控制在室温环境下,刻蚀完的尾气通过后级泵(11)抽出真空腔室(7),并由后级泵(11)进入尾气处理装置(12)。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |