异质结构倒T场效晶体管

摘要

本发明系提供一种形成晶体管的方法。该方法包含形成第一半导体材料的第一层于绝缘层之上。选择该第一半导体材料以对第一载流子类型提供高的迁移率。该方法亦包含形成第二半导体材料的第二层于半导体材料的该第一层之上。选择该第二半导体材料以对相反于该第一载流子类型的第二载流子类型提供高的迁移率。该方法复包含形成第一屏蔽层相邻于该第二层，且通过该第一屏蔽层蚀刻该第二层以在该第二层中形成至少一特征。在该第二层中的每一特征与该第一层的一部分形成倒T形状。

主权项

一种形成晶体管的方法，包括：在绝缘层之上形成第一半导体材料的第一层，选择该第一半导体材料以对第一载流子类型提供高的迁移率；在该第一层之上形成第二半导体材料的第二层，选择该第二半导体材料以对与该第一载流子类型相反的第二载流子类型提供高的迁移率；以及蚀刻该第二层，以在该第二层中形成至少一特征，使得在该第一层中的每一特征与该第二层的一部分形成倒T形状结构的基极。