半导体模块

摘要

制造包括不同导电类型的层并且具有在集电极侧(21)上的集电极(2)和在位于集电极侧(21)相对侧的发射极侧(31)上的发射极(3)的具有四层结构的可控穿通半导体器件(1)。用于制造半导体器件(1)的步骤按下列顺序执行：在第一导电类型的晶圆上，执行用于制造发射极侧(31)上的层的步骤，然后在晶圆的第二侧上减薄晶圆，然后通过第一导电类型的粒子的注入或沉积而在集电极侧(21)上向晶圆施加第一导电类型的粒子以用于形成第一缓冲层(5)，第一缓冲层(5)在第一深度(51)中具有第一峰值掺杂浓度(52)，其高于晶圆的掺杂，然后通过注入或沉积而在晶圆的第二侧上向晶圆施加第二导电类型的粒子以用于形成集电极层(6)，以及-然后集电极金属化(7)在第二侧上形成。在任何阶段通过粒子的注入而在晶圆的第二侧上向晶圆施加第一导电类型的粒子以用于形成第二缓冲层(8)。第二缓冲层(8)在第二深度(81)中具有第二峰值掺杂浓度(82)，其低于第一缓冲层(5)的第一峰值掺杂浓度(52)但高于晶圆的掺杂，存在有设置在第一深度(51)和第二深度(81)之间的具有最小掺杂浓度(92)的第三缓冲层(9)，最小掺杂浓度(92)低于第二缓冲层(8)的第二峰值掺杂浓度(82)。在施加粒子之后的任何阶段，执行用于形成第一缓冲层(5)、第二缓冲层(8)和/或集电极层(6)的热处理。

主权项

一种用于制造包括具有不同导电类型的层的四层结构并且具有在集电极侧(21)上的集电极(2)和在位于所述集电极侧(21)相对侧的发射极侧(31)上的发射极(3)的可控穿通半导体器件(1)的方法，用于制造所述半导体器件(1)的步骤按下列顺序执行：-在第一导电类型的晶圆上执行用于制造所述半导体器件(1)的发射极侧(31)上的层的步骤，该晶圆包括第一侧和位于所述第一侧相对侧的第二侧，所述第一侧是所完成的半导体器件(1)中的发射极侧(31)，-然后在所述晶圆的第二侧上减薄所述晶圆，-然后通过第一导电类型的粒子的注入或沉积而在所述晶圆的第二侧上向所述晶圆施加所述第一导电类型的粒子，该粒子形成所述完成的半导体器件(1)中的第一缓冲层(5)，所述第一缓冲层(5)在第一深度(51)中具有第一峰值掺杂浓度(52)，所述第一峰值掺杂浓度(52)高于所述晶圆的掺杂，-然后通过注入或沉积而在所述晶圆的第二侧上向所述晶圆施加第二导电类型的粒子，该粒子形成所述完成的半导体器件(1)中的集电极层(6)，-然后在所述第二侧上形成集电极金属化(7)；-在任何阶段通过粒子的注入在所述晶圆的第二侧上向所述晶圆施加第一导电类型的粒子，该粒子形成所述完成的半导体器件(1)中的第二缓冲层(8)，所述第二缓冲层(8)在第二深度(81)中具有第二峰值掺杂浓度(82)，该第二深度(81)大于所述第一深度(51)，所述第二峰值掺杂浓度(82)低于所述第一缓冲层(5)的所述第一峰值掺杂浓度(52)并且高于所述晶圆的掺杂，并且所述第一和第二缓冲层(5、8)采用这样的方式形成使得在所述第二深度(81)和所述第一深度(51)之间产生具有最小掺杂浓度(92)的第三缓冲层(9)，所述最小掺杂浓度(92)高于所述晶圆的掺杂并且低于所述第二缓冲层(8)的所述第二峰值掺杂浓度(82)，-并且在向所述晶圆施加用于所述第一缓冲层(5)、所述第二缓冲层(8)和/或所述集电极层(6)的粒子之后的任何阶段，执行用于形成在所述完成的半导体器件(1)中的所述第一缓冲层(5)、所述第二缓冲层(8)和/或所述集电极层(6)的至少一个晶圆热处理。