抛光剂及基片的抛光方法

摘要

本发明涉及半导体制造工序等中适于基片表面平坦化用CMP技术的抛光剂和抛光方法。抛光剂是含有粒子和将上述粒子至少部分分散的介质的抛光剂，上述粒子是下列之一：(1)从氧化铈、卤化铈和硫化铈中选择的，密度为3～6克/立方厘米而且次级粒子平均粒径为1～300纳米的铈化合物，(2)四价金属氧化物。使用这种抛光剂抛光的抛光方法，活用抛光剂中粒子的化学作用并且尽量减小机械作用，藉此能够兼容粒子引起的抛光损伤减少和抛光速度提高。

主权项

抛光剂，是含有粒子及至少分散有部分所述粒子的介质的抛光剂，上述粒子是四价金属氢氧化物，所述粒子用氮气吸附的BET法测定的比表面积为50平方米/克以上、且用光子相关法测定的次级粒子的平均粒径为300纳米以下。