提高Ⅲ族氮化物发光效率的LED量子阱结构及其生长方法

摘要

一种提高III族氮化物LED发光效率的量子阱结构，包括蓝宝石衬底层(6)，缓冲层(5)，过渡层(4)，N型导电层(3)，量子阱结构层(2)，P型导电层(1)以及电极层(7)；衬底层(6)上依次为GaN构成的缓冲层(5)，GaN构成的过渡层(4)，N型GaN构成的N型导电层(3)，InGaN/AlGaInN交替构成的量子阱结构层(2)，P型GaN构成的P型导电层(1)以及电极层(7)。量子阱结构层(2)是5-10个周期且层厚分别为5-20nm/15-40nm的InGaN/AlGaInN量子阱结构层。

主权项

一种LED量子阱结构，其特征是包括蓝宝石衬底层(6)，缓冲层(5)，过渡层(4)，N型导电层(3)，量子阱结构层(2)，P型导电层(1)以及电极层(7)；衬底层(6)上依次为GaN构成的缓冲层(5)，GaN构成的过渡层(4)，N型GaN构成的N型导电层(3)，InGaN/AlGaInN交替构成的量子阱结构层(2)，P型GaN构成的P型导电层(1)以及电极层(7)；其中所述缓冲层(5)为510-100μm厚度的低温GaN缓冲层材料；GaN构成的过渡层(4)是900-1150℃生长0.5-2000μm厚度GaN，N型GaN导电层(3)是层厚为0.5-2μm的N型GaN层；量子阱结构层(2)是5-10个周期且层厚分别为5-20nm/15-40nm的InGaN/AlGaInN量子阱结构层，其中InxGa1-xN势阱层内材料组分x为0.1-0.4，AlxGayIn1-x+yN势垒层内材料组分为0.1＜x＜0.4，0.1＜y＜0.4；P型导电层是厚度为100-500μm掺杂浓度达1-3×1017cm-1的P型导电GaN层。