| 发明名称 | 铟电解精炼前真空除镉的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及有色金属精炼除杂质技术，特别是除去粗铟中的杂质镉的方法，属于有色金属冶炼领域。本发明的方法是将粗铟投入真空炉中，抽真空，使真空度达到5～10Pa，开启真空炉升温到800～1000℃，按含镉品位确定恒定温度时间为2～6h，然后降温到250～300℃，关闭真空，取出浮渣和镉灰，得到除镉的粗铟。本发明操作简单，能降低环境污染，不产生含重金属废水，生产成本可显著降低。 | ||
| 申请公布号 | CN101880781A | 申请公布日期 | 2010.11.10 |
| 申请号 | CN201010169203.5 | 申请日期 | 2010.05.12 |
| 申请人 | 云南天浩稀贵金属股份有限公司 | 发明人 | 叶志清 |
| 分类号 | C22B58/00(2006.01)I;C22B9/02(2006.01)I | 主分类号 | C22B58/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 昆明今威专利代理有限公司 53115 | 代理人 | 赵云 |
| 主权项 | 一种铟电解精炼前真空除镉的方法，其特征是：将粗铟投入真空炉中，抽真空，使真空度达到5～10Pa，开启真空炉升温到800～1000℃，按含镉品位确定恒定温度时间为2～6h，然后降温到250～300℃，关闭真空，取出浮渣和镉灰，得到除镉的粗铟。 | ||
| 地址 | 655203 云南省昆明市寻甸特色产业园区塘子片区云南天浩公司 | ||