| 发明名称 | 太阳能电池、太阳能电池的发射极层的形成方法、和太阳能电池的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种太阳能电池的发射极层的形成方法包括以下步骤：制备包括第一导电类型的第一杂质的基板；在所述基板中扩散与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二杂质，以在所述基板中形成所述发射极层的第一发射极部分；以及选择性地加热所述第一发射极部分的与用于形成至少一个电极的位置相对应的部分，以形成第二发射极部分。 | ||
| 申请公布号 | CN101884115A | 申请公布日期 | 2010.11.10 |
| 申请号 | CN200980101217.9 | 申请日期 | 2009.04.17 |
| 申请人 | LG电子株式会社 | 发明人 | 俞载成 |
| 分类号 | H01L31/042(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/042(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 李辉;汤俏 |
| 主权项 | 一种太阳能电池的发射极层的形成方法，该方法包括以下步骤：制备包括第一导电类型的第一杂质的基板；在所述基板中扩散与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二杂质，以在所述基板中形成所述发射极层的第一发射极部分；以及选择性地加热所述第一发射极部分的与用于形成至少一个电极的位置相对应的部分，以形成第二发射极部分。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||