| 发明名称 | 有机半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有低电压驱动、高驱动电流的有机薄膜晶体管、适于集成化的有机半导体装置。该有机半导体装置具有有机薄膜晶体管，所述有机薄膜晶体管具备：基板(10)；设置在基板(10)上的门极(12)；设置在门极(12)上的第1门极绝缘膜(15)；设置在第1门极绝缘膜(15)上的第2门极绝缘膜(17)；设置在第2门极绝缘膜(17)上、由第1金属层(16、18)与第2金属层(20、22)的叠层结构构成的源极(16、20)及漏极(18、22)；以及设置在源极(16、20)和漏极(18、22)之间、第2门极绝缘膜(17)之上的有机半导体层(24)。其中，第1门极绝缘膜(15)由介电常数高于第2门极绝缘膜(17)的绝缘膜构成，第2门极绝缘膜(17)由薄于第1门极绝缘膜(15)的硅氧化物膜、或低温成膜的薄的硅氧化物膜构成，且它们整体上具有叠层式门极绝缘膜结构。 | ||
| 申请公布号 | CN101884108A | 申请公布日期 | 2010.11.10 |
| 申请号 | CN200880118746.5 | 申请日期 | 2008.09.12 |
| 申请人 | 罗姆股份有限公司 | 发明人 | 奥良彰 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 封新琴 |
| 主权项 | 一种有机半导体装置，其具有有机薄膜晶体管，所述有机薄膜晶体管具备：基板；设置在所述基板上的门极；设置在所述门极上的第1门极绝缘膜；设置在所述第1门极绝缘膜上的第2门极绝缘膜；设置在所述第2门极绝缘膜上的源极及漏极，所述源极及漏极由第1金属层与第2金属层的叠层结构构成；以及设置在所述源极和所述漏极之间、所述第2门极绝缘膜之上的有机半导体层。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||