制备氮化硅的方法

摘要

一种制备氮化硅的方法，包括下列步骤，通入保护气体并检测晶圆表面的氧气浓度；若所检测的氧气浓度小于或等于安全浓度，则对晶圆加热；在对晶圆加热之后，在晶圆表面生长氮化硅，其中所述安全浓度为警戒浓度与未能检测到的氧气浓度的预估值的差。所述制备氮化硅的方法中设定的安全浓度由于预留了对于未能检测到的氧气浓度的余量，因而保证了晶圆表面的氧气浓度不会超标，避免了由于氧气浓度超标而影响氮化硅生长工艺的质量。

主权项

一种制备氮化硅的方法，其特征在于，包括：提供晶圆；通入保护气体并检测晶圆表面的氧气浓度；若所检测的氧气浓度小于或等于安全浓度，则对晶圆加热；在对晶圆加热之后，在晶圆表面生长氮化硅，其中所述安全浓度为警戒浓度与未能检测到的氧气浓度的预估值的差；所述未能检测到的氧气浓度的预估值通过下列步骤获得，将试片代替所述晶圆，并对试片进行如下操作：通入保护气体并检测试片表面氧气浓度；对试片加热；在试片加热后再次检测氧气浓度；计算前后两次所检测的氧气浓度之差，并将所述氧气浓度差作为对未能检测到的氧气浓度的预估值。