dispositivo, método de operação de semicondutor controlável, método de determinar as condições operacionais para semicondutor controlável, método para detectar o efeito de túnel da corrente, método para determinar erros reais e potenciais na operação de semicondutor controlável, método de determinar capacidade de manipular potência de dispositivo instalado

摘要

DISPOSITIVO, MéTODO DE OPERAçãO DE SEMICONDUTOR CONTROLáVEL, MéTODO DE DETERMINAR AS CONDIçõES OPERACIONAIS PARA SEMICONDUTOR CONTROLAVEL, MéTODO PARA DETECTAR O EFEITO DE TúNEL DA CORRENTE, MéTODO PARA DETERMINAR ERROS REAIS E POTêNCIAIS NA OPERAçãO DE SEMICONDUTOR CONTROLAVEL, MéTODO DE DETERMINAR CAPACIDADE DE MANIPULAR POTêNCIA DE DISPOSITIVO INSTALADO. é proposto um dispositivo (100) que inclui um semicondutor controlável (102), sensor (106), e controlador (104) O semicondutor controlável (102) é associado com um primeiro parâmetro operacional e um segundo parâmetro operacional, sendo o primeiro parâmetro operacional controlável. O sensor (106) está em comunicação com o dispositivo semicondutor controlável (102) e adquire dados relativos ao segundo parâmetro operacional. O controlador (104) está em comunicação com o dispositivo semicondutor controlável (102) e com o sensor (106). O controlador (104) é configurado de modo a acessar dados do dispositivo associados com o semicondutor controlável (102), a controlar o primeiro parâmetro operacional e a receber dados do primeiro sensor (106) relativos ao segundo parâmetro operacional. O controlador (104) determina um primeiro valor previsto dependente dos dados do dispositivo, compara os dados relativos ao segundo parâmetro operacional com o primeiro valor previsto e, se uma primeira condição for detectada com base nesta comparação, modifica dinamicamente o primeiro parâmetro operacional.