| 主权项 |
一种电子元件，包括：介电体层，以钛酸钡作为主成分；其特征在于：在形成前述介电体层之复数个陶瓷粒子中，存在于邻接之陶瓷粒子间之结晶粒界之厚度为1nm以下之粒子之比例占全体之30%以上95%以下，前述介电体层内系含有作为副成分之镁氧化物、锰氧化物及/或铬氧化物、希土类氧化物、钒氧化物、钨氧化物、铊氧化物及/或是铌氧化物，且相对于100莫耳钛酸钡而言，前述镁氧化物之含量为0~2莫耳(其中，不包含0)，前述锰氧化物与铬氧化物之合计含量以MnO与Cr2O3换算的话系为0~0.5莫耳(其中，不包含0)，前述希土类氧化物之含量为0~4莫耳(其中，不包含0及4)，前述钒氧化物、钨氧化物、铊氧化物及铌氧化物之合计含量为0~0.5莫耳(其中，不包含0)，又，前述介电体层内系含有玻璃，且相对于100莫耳钛酸钡而言，前述玻璃之含量为0.5~12莫耳。一种电子元件，包括：介电体层，以钛酸钡作为主成分；其特征在于：在形成前述介电体层之复数个陶瓷粒子中，存在于邻接之陶瓷粒子间之结晶粒界之厚度为0.75nm以下之粒子之比例占全体之40%以上90%以下，前述介电体层内系含有作为副成分之镁氧化物、锰氧化物及/或铬氧化物、希土类氧化物、钒氧化物、钨氧化物、铊氧化物及/或是铌氧化物，且相对于100莫耳钛酸钡而言，前述镁氧化物之含量为0~2莫耳(其中，不包含0)，前述锰氧化物与铬氧化物之合计含量以MnO与Cr2O3换算的话系为0~0.5莫耳(其中，不包含0)，前述希土类氧化物之含量为0~4莫耳(其中，不包含0及4)，前述钒氧化物、钨氧化物、铊氧化物及铌氧化物之合计含量为0~0.5莫耳(其中，不包含0)，又，前述介电体层内系含有玻璃，且相对于100莫耳钛酸钡而言，前述玻璃之含量为0.5~12莫耳。如申请专利范围第1或2项所述之电子元件，其中前述介电体层之厚度为3μm以下。如申请专利范围第1或2项所述之电子元件，其中前述陶瓷粒子之平均粒子径为0.3μm以下。如申请专利范围第1或2项所述之电子元件，其中前述电子元件系作为具有前述介电体层、与内部电极层交互叠积之元件本体的积层陶瓷致动器。如申请专利范围第5项所述之电子元件，其中前述内部电极层系以卑金属为主成分。一种电子元件，包括：介电体层，以Ba1-xCaxTiO3(0.001≦x≦0.15)所表示之钛酸钡钙作为主成分；其特征在于：在形成前述介电体层之复数个陶瓷粒子中，存在于邻接之陶瓷粒子间之结晶粒界之厚度为1nm以下之粒子之比例占全体之20%以上70%以下，前述介电体层内系含有作为副成分之镁氧化物、锰氧化物及/或铬氧化物、希土类氧化物、钒氧化物、钨氧化物、铊氧化物及/或是铌氧化物，且相对于100莫耳钛酸钡钙而言，前述镁氧化物之含量为0~2莫耳(其中，不包含0)，前述锰氧化物与铬氧化物之合计含量以MnO与Cr2O3换算的话系为0~0.5莫耳(其中，不包含0)，前述希土类氧化物之含量为0~4莫耳(其中，不包含0及4)，前述钒氧化物、钨氧化物、铊氧化物及铌(Nb)氧化物之合计含量为0~0.5莫耳(其中，不包含0)，又，前述介电体层内系含有玻璃，且相对于100莫耳钛酸钡钙而言，前述玻璃之含量为0.5~12莫耳。一种电子元件，包括：介电体层，以Ba1-xCaxTiO3(0.001≦x≦0.15)所表示之钛酸钡钙作为主成分；其特征在于：在形成前述介电体层之复数个陶瓷粒子中，存在于邻接之陶瓷粒子间之结晶粒界之厚度为0.75nm以下之粒子之比例占全体之25%以上65%以下，前述介电体层内系含有作为副成分之镁氧化物、锰氧化物及/或铬氧化物、希土类氧化物、钒氧化物、钨氧化物、铊氧化物及/或是铌氧化物，且相对于100莫耳钛酸钡钙而言，前述镁氧化物之含量为0~2莫耳(其中，不包含0)，前述锰氧化物与铬氧化物之合计含量以MnO与Cr2O3换算的话系为0~0.5莫耳(其中，不包含0)，前述希土类氧化物之含量为0~4莫耳(其中，不包含0及4)，前述钒氧化物、钨氧化物、铊氧化物及铌(Nb)氧化物之合计含量为0~0.5莫耳(其中，不包含0)，又，前述介电体层内系含有玻璃，且相对于100莫耳钛酸钡钙而言，前述玻璃之含量为0.5~12莫耳。如申请专利范围第7或8项所述之电子元件，其中前述介电体层之厚度为3μm以下。如申请专利范围第7或8项所述之电子元件，其中前述陶瓷粒子之平均粒子径为0.3μm以下。如申请专利范围第7或8项所述之电子元件，其中前述电子元件系作为具有前述介电体层、与内部电极层交互叠积之元件本体的积层陶瓷致动器。如申请专利范围第11项所述之电子元件，其中前述内部电极层系以卑金属为主成分。 |
