| 主权项 |
一种制造半导体装置的方法，包含下列步骤：形成金属膜；在该金属膜上形成包括该金属的氧化物层；在该氧化物层上形成半导体膜；以及分离该金属膜和该半导体膜，其中，该分离出现在该氧化物层的层中或该氧化物层与同该氧化物层接触的膜之间的介面处。一种制造半导体装置的方法，包含下列步骤：形成金属膜；在该金属膜上形成氧化物膜；在该氧化物膜上形成半导体膜；以及分离该金属膜和该半导体膜，其中，当形成该氧化物膜时，与该金属膜相接触形成包括金属的氧化物层，其中，该分离出现在该氧化物层的层中或该氧化物层与同该氧化物层接触的膜之间的介面处。一种制造半导体装置的方法，包含下列步骤：在基底上形成包含W的膜；在该膜上形成氧化物膜；在该氧化物膜上形成半导体膜；以及分离该膜和该氧化物膜，其中，当形成该氧化物膜时，与该膜相接触形成包括W的氧化物层，其中，该氧化物层包含WO2和WO3，其中，该分离出现在该氧化物层的层中或该氧化物层与同该氧化物层接触的膜之间的介面处，其中，在分离之后，存在于与该氧化物膜接触的该氧化物层侧上的WO3多于WO2，且其中，在分离之后，存在于与该半导体膜接触的该氧化物层侧上的WO3多于WO2。一种制造半导体装置的方法，包含下列步骤：在基底上形成包含W的膜；在该膜上形成包含W的氧化物层；在该氧化物层上形成绝缘膜；在该绝缘膜上形成半导体膜；以及在该氧化物层的层中或该氧化物层与同该氧化物层接触的膜之间的介面处，分离该膜和该半导体膜，其中，该氧化物层包含WO2和WO3，其中，在分离之后，存在于与该基底接触的该氧化物层侧上的WO3多于WO2，且其中，在分离之后，存在于与该半导体膜接触的该氧化物层侧上的WO3多于WO2。根据申请专利范围第2至4项中任何一项的方法，其中，用热处理方法来晶化该氧化物层。一种制造半导体装置的方法，包含下列步骤：在第一基底上形成包含金属的膜；在该膜上形成剥离层；将第二基底粘贴到该剥离层；分离该剥离层和该第一基底；将第三基底粘贴到该剥离层的底侧；以及分离该第二基底和该剥离层，其中，包括该金属的氧化物层被形成在该膜上，且其中，该分离出现在该氧化物层的层中或在该氧化物层与该膜之间或该氧化物层与该剥离层之间的介面处。一种制造半导体装置的方法，包含下列步骤：在第一基底上形成包含W的膜；在该膜上形成剥离层；将第二基底粘贴到该剥离层；分离该剥离层和该第一基底；将第三基底粘贴到该剥离层的底侧；以及分离该第二基底和该剥离层，其中，包括W的氧化物层被形成在该膜上，且其中，该分离出现在该氧化物层的层中或在该氧化物层与该膜之间或该氧化物层与该剥离层之间的介面处。根据申请专利范围第6和7项中任何一项的方法，其中，该第三基底是薄膜基底。根据申请专利范围第6和7项中任何一项的方法，其中，该剥离层包括薄膜电晶体。根据申请专利范围第2至4、6以及7项中任何一项的方法，其中，该半导体装置被组合到电子装置中，该电子装置选自由个人数位助理、蜂巢电话、行动电脑、可携式游戏机、电子书、视频照相机、数位相机、风镜式显示器、显示器、和导航系统所组成之群组中。根据申请专利范围第1项的方法，更包含：在分离该金属膜和该半导体膜之前，藉由使用加热炉来将该包括金属之氧化物层加热。根据申请专利范围第2项的方法，更包含：在分离该金属膜和该半导体膜之前，藉由使用加热炉来将该包括金属之氧化物层加热。根据申请专利范围第3项的方法，更包含：在分离该膜和该氧化物膜之前，藉由使用加热炉来将该包括W之氧化物层加热。根据申请专利范围第4项的方法，更包含：在分离该膜和该半导体膜之前，藉由使用加热炉来将该包括W之氧化物层加热。根据申请专利范围第6项的方法，更包含：在分离该剥离层和该第一基底之前，藉由使用加热炉来将该包括金属之氧化物层加热。根据申请专利范围第7项的方法，更包含：在分离该剥离层和该第一基底之前，藉由使用加热炉来将该包括W之氧化物层加热。 |
