| 主权项 |
一种隐形眼镜，系利用一磁力效应以非接触方式配戴或摘除，其包括：一隐形眼镜主体；以及一磁性物质，系设置于该隐形眼镜主体之一表面、该隐形眼镜主体之一夹层或均匀掺混于该隐形眼镜主体内。如申请专利范围第1项所述之隐形眼镜，其中该磁性物质与该隐形眼镜主体之键结方式系为一物理键结或一化学键结。如申请专利范围第2项所述之隐形眼镜，其中该物理键结系包括氢键。如申请专利范围第1项所述之隐形眼镜，其中该隐形眼镜主体之材料系包括甲基丙烯酸羟乙酯、甲基丙烯酸、N-乙烯基吡咯烷酮或二甲基丙烯酸乙二醇酯。如申请专利范围第1项所述之隐形眼镜，其中该隐形眼镜主体之材料系包括具矽基配方之材料。如申请专利范围第1项所述之隐形眼镜，其中该磁性物质之化学通式系以MxTyDz表示，M系为单一元素或混成元素，T系为金属元素，D系为非金属元素，x和z系为零或正整数，y系为正整数。如申请专利范围第6项所述之隐形眼镜，其中该M系包括选自由镍、锌、镁、铁、铜、钴、铬、锰、钛、铷、矽、硼和碳所组成的群组中之任一或其组合。如申请专利范围第6项所述之隐形眼镜，其中该T系包括铁、钴或锌。如申请专利范围第6项所述之隐形眼镜，其中该D系包括氧或氮。如申请专利范围第1项所述之隐形眼镜，其中该磁性物质之含量系约为该隐形眼镜主体重量之0.0001-30wt%。如申请专利范围第10项所述之隐形眼镜，其中该磁性物质之含量系约为该隐形眼镜主体重量之0.001-15wt%。如申请专利范围第1项所述之隐形眼镜，其中该磁性物质设置于该隐形眼镜主体之该表面或该夹层之厚度系约为1-60μm。如申请专利范围第12项所述之隐形眼镜，其中该磁性物质设置于该隐形眼镜主体之该表面或该夹层之厚度系约为5-30μm。如申请专利范围第1项所述之隐形眼镜，其中该磁性物质之粒径系约为1-500nm。如申请专利范围第14项所述之隐形眼镜，其中该磁性物质之粒径系约为10-200nm。 |
