| 主权项 |
一种微影曝光方法，包括：提供一基板；形成一第一光阻层于该基板上；形成一第二光阻层于该第一光阻层上，该第二光阻层之透光度(transmission)系随曝光量增加而先增后减；以及对该第二光阻层进行曝光。如申请专利范围第1项所述之微影曝光方法，其中该第一光阻层与该第二光阻层之材料系相同。如申请专利范围第1项所述之微影曝光方法，其中该第二光阻层系为一化学放大型光阻层(chemically amplified resist layer)。如申请专利范围第1项所述之微影曝光方法，其中该第二光阻层包括一光敏感性化合物(photosensitive compound)与一树脂。如申请专利范围第4项所述之微影曝光方法，其中该光敏感性化合物包括diazonaphtoquinone(DNQ)。如申请专利范围第4项所述之微影曝光方法，其中该树脂包括novolac树脂。如申请专利范围第4项所述之微影曝光方法，其中该光敏感性化合物之重量百分比大体介于0.5~70%。如申请专利范围第1项所述之微影曝光方法，其中该第二光阻层之厚度大体介于100~1,000nm。如申请专利范围第1项所述之微影曝光方法，其中该第二光阻层包括一具有一第一曝光强度之第一曝光区、一具有一第二曝光强度之第二曝光区以及一具有一第三曝光强度之第三曝光区。如申请专利范围第9项所述之微影曝光方法，其中该第一曝光强度为最大，该第三曝光强度为最小，而该第二曝光强度介于该第一与第三曝光强度之间。如申请专利范围第10项所述之微影曝光方法，其中于一特定曝光期间，该第二曝光区之透光度系大于该第一与第三曝光区之透光度。如申请专利范围第10项所述之微影曝光方法，其中对应该第二曝光区之该第一光阻层系接收一较该第一光阻层其他区域更多之曝光累积量。如申请专利范围第10项所述之微影曝光方法，其中该第二光阻层于该第一曝光区系呈现一交联(cross－linking)结构。如申请专利范围第12项所述之微影曝光方法，其中该第二光阻层于该第一与第三曝光区之显影速度系低于该第二曝光区之显影速度。如申请专利范围第1项所述之微影曝光方法，其中该第一光阻层系覆盖一预图案化(pre－patterned)表面。 |
