| 主权项 |
一种天线结构，包含有：一辐射元件，包含有：一第一辐射体；以及一第二辐射体，该第二辐射体系延伸自该第一辐射体，并耦接于该第一辐射体；一接地元件；一短路元件，具有一第一端以及一第二端，该短路元件之该第一端系耦接于该第一辐射体与该第二辐射体之交接处，以及该短路元件之该第二端系耦接于该接地元件；以及一馈入元件，具有一第一端以及一第二端，该馈入元件之该第一端系电性连接于该辐射元件；其中，该短路元件系位于一第一平面上，以及该馈入元件系位于异于该第一平面之一第二平面上。如申请专利范围第1项所述之天线结构，其中该短路元件具有至少一第一区段以及一第二区段，且该第一区段以及该第二区段系形成一弯折；以及流经该短路元件之该第一区段之一第一电流与流经该馈入元件之一第二电流系为同方向。如申请专利范围第1项所述之天线结构，其中该第一平面系大致上平行于该第二平面。如申请专利范围第1项所述之天线结构，其中该馈入元件之该第一端于该辐射元件上之投影位置系位于该辐射元件之该第一辐射体之处。如申请专利范围第1项所述之天线结构，其中该馈入元件之该第一端于该辐射元件上之投影位置系位于该辐射元件之该第二辐射体之处。如申请专利范围第1项所述之天线结构，其中该馈入元件之该第一端于该辐射元件上之投影位置系位于该第一辐射体与该第二辐射体之交接处。如申请专利范围第1项所述之天线结构，其中该第一辐射体具有一第一长度，该第二辐射体具有一第二长度，且该馈入元件具有一第三长度；该第一长度与该第三长度之总和系为该天线结构所产生之一第一共振模态之一第一讯号波长的四分之一(λ1/4)；以及该第二长度与该第三长度之总合系为该天线结构所产生之一第二共振模态之一第二讯号波长的四分之一(λ2/4)。如申请专利范围第7项所述之天线结构，其中该第一辐射体具有一第一端以及一第二端，且该第一辐射体之该第一端系位于该第一辐射体与该第二辐射体之交接处；以及该馈入元件之该第一端与该第一辐射体之该第二端于一投影平面上相距一特定距离，且该特定距离系介于该第一讯号波长的八分之一以及六分之一之间。如申请专利范围第7项所述之天线结构，其中该第二辐射体具有一第一端以及一第二端，且该第二辐射体之该第一端系位于该第一辐射体与该第二辐射体之交接处；以及该馈入元件之该第一端与该第二辐射体之该第二端于一投影平面上相距一特定距离，且该特定距离系介于该第二讯号波长的八分之一以及六分之一之间。如申请专利范围第1项所述之天线结构，其另包含：一基板，具有该第一平面以及该第二平面。如申请专利范围第10项所述之天线结构，其中该接地元件系包含一第一接地子元件以及一第二接地子元件，两者系上下部份重叠；该第一接地子元件系耦接于该短路元件之该第二端，且与该辐射元件以及该短路元件位于该第一平面上；以及该第二接地子元件系用以耦接一馈入讯号源，且与该馈入元件位于该第二平面上。如申请专利范围第11项所述之天线结构，其另包含：一第一导通孔(via hole)，设置于该第一接地子元件以及该第二接地子元件之间，并贯穿该基板之该第一平面与该第二平面，用来电性连接该第一接地子元件以及该第二接地子元件。如申请专利范围第10项所述之天线结构，其另包含：一第二导通孔，设置于该馈入元件以及该辐射元件之间，并贯穿该基板之该第一平面与该第二平面，用来电性连接该馈入元件以及该辐射元件。如申请专利范围第1项所述之天线结构，其中该辐射元件、该接地元件、该短路元件以及该馈入元件系分别为同一金属片之不同部分。如申请专利范围第14项所述之天线结构，其中该接地元件系位于一第三平面上，且该第三平面系大致上垂直于该第一平面与该第二平面。如申请专利范围第14项所述之天线结构，其另包含一第二馈入元件，用来电性连接该馈入元件之该第一端与该辐射元件，其中该第二馈入元件系位于一第四平面上，且该第四平面系大致上垂直于该第一平面与该第二平面。一种天线结构，其包含有：一基板，具有一第一平面以及相对于该第一平面之一第二平面；一辐射元件，位于该第一平面上，该辐射元件包含有：一第一辐射体，用来共振出对应一第一共振模态之一第一操作频段；以及一第二辐射体，该第二辐射体之一第一端系延伸自该第一辐射体之一第一端，且共振出对应一第二共振模态之一第二操作频段；一接地元件，包含有位于该第一平面上之一第一接地子元件，以及位于该第二平面上一第二接地子元件；一短路元件，位于该第一平面上，该短路元件系耦接于该第一辐射体之该第一端以及该第一接地子元件之间；以及一馈入元件，位于该第二平面上，电性连接于该辐射元件。如申请专利范围第17项所述之天线结构，其另包含：一第一导通孔，设置于该第一接地子元件以及该第二接地子元件之间，并贯穿该基板之该第一平面与该第二平面，用来电性连接该第一接地子元件以及该第二接地子元件；以及一第二导通孔，设置于该馈入元件以及该辐射元件之间，并贯穿该基板之该第一平面与该第二平面，用来电性连接该馈入元件以及该辐射元件。如申请专利范围第17项所述之天线结构，其中该短路元件具有至少一第一区段以及一第二区段，且该第一区段以及该第二区段系形成一弯折；以及流经该短路元件之该第一区段之一第一电流与流经该馈入元件之一第二电流系为同方向。如申请专利范围第17项所述之天线结构，其中该馈入元件具有一第一端，且该馈入元件之该第一端于该辐射元件上之投影位置系位于该辐射元件之该第一辐射体之处。如申请专利范围第17项所述之天线结构，其中该馈入元件具有一第一端，且该馈入元件之该第一端于该辐射元件上之投影位置系位于该辐射元件之该第二辐射体之处。如申请专利范围第17项所述之天线结构，其中该馈入元件具有一第一端，且该馈入元件之该第一端于该辐射元件上之投影位置系位于该第一辐射体之该第一端之处。如申请专利范围第17项所述之天线结构，其中该第一辐射体具有一第一长度，该第二辐射体具有一第二长度，且该馈入元件具有一第三长度；该第一长度与该第三长度之总和系为该第一共振模态之一第一讯号波长的四分之一(λ1/4)；以及该第二长度与该第三长度之总合系为该第二共振模态之一第二讯号波长的四分之一(λ2/4)。如申请专利范围第23项所述之天线结构，其中该馈入元件具有一第一端，以及该馈入元件之该第一端与该第一辐射体之该第一端于一投影平面上相距一特定距离，且该特定距离系小于该第一讯号波长的八分之一。如申请专利范围第23项所述之天线结构，其中该馈入元件具有一第一端，以及该馈入元件之该第一端与该第二辐射体之该第一端于一投影平面上相距一特定距离，且该特定距离系小于该第二讯号波长的八分之一。一种天线结构，包含有：一基板，具有一第一平面以及相对于该第一平面之一第二平面；一辐射元件；一接地元件；一短路元件，位于该第一平面上，该短路元件具有至少一第一区段以及一第二区段，该第一区段以及该第二区段系形成一弯折，且该第一区段系耦接于该辐射元件，以及该第二区段系耦接于该接地元件；以及一馈入元件，位于该第二平面上，电性连接于该辐射元件；其中，流经该短路元件之该第一区段之一第一电流与流经该馈入元件之一第二电流系为同方向。一种天线结构，包含有：一接地元件；一辐射元件，包含有：一第一辐射体；以及一第二辐射体，延伸自该第一辐射体，并耦接于该第一辐射体；一短路元件，耦接于该第一辐射体与该第二辐射体之交接处以及该接地元件之间；以及一馈入元件，电性连接于该辐射元件；其中，该辐射元件以及该短路元件系位于一第一平面上，该馈入元件系位于异于该第一平面之一第二平面上，以及该接地元件系位于异于该第一、第二平面之一第三平面上。如申请专利范围第27项所述之天线结构，其中该第一平面系大致上平行于该第二平面，以及该第三平面系大致上垂直于该第一平面与该第二平面。如申请专利范围第27项所述之天线结构，其中流经该短路元件之一第一电流与流经该馈入元件之一第二电流系为同方向。如申请专利范围第27项所述之天线结构，其中该接地元件、该短路元件、该辐射元件以及该馈入元件系为同一金属片之不同部分。如申请专利范围第27项所述之天线结构，其中该接地元件、该短路元件、该辐射元件以及该馈入元件系依序环绕设置而形成一中空空间。如申请专利范围第27项所述之天线结构，其另包含一第二馈入元件，用来电性连接该馈入元件与该辐射元件；其中该第二馈入元件系位于一第四平面上，且该第四平面系大致上平行于该第三平面。如申请专利范围第27项所述之天线结构，其中该馈入元件之一第一端于该辐射元件上之投影位置系位于该辐射元件之该第一辐射体之处。如申请专利范围第27项所述之天线结构，其中该馈入元件之一第一端于该辐射元件上之投影位置系位于该辐射元件之该第二辐射体之处。如申请专利范围第27项所述之天线结构，其中该馈入元件之一第一端于该辐射元件上之投影位置系位于该第一辐射体与该第二辐射体之交接处。一种天线结构，包含有：一接地元件；一短路元件；一辐射元件，包含有：一第一辐射体；以及一第二辐射体，延伸自该第一辐射体，并耦接于该第一辐射体；以及一馈入元件，其中该接地元件、该短路元件、该辐射元件以及该馈入元件系分别为同一金属片之不同部分，且流经该短路元件之一第一电流与流经该馈入元件之一第二电流系为同方向；其中，该接地元件、该短路元件、该辐射元件以及该馈入元件系依序环绕设置而形成一中空空间。如申请专利范围第36项所述之天线结构，其中该短路元件系位于一第一平面上，该馈入元件系位于一第二平面上，以及该接地元件系位于一第三平面上；且该第一平面系大致上平行于该第二平面，以及该第三平面系大致上垂直于该第一平面与该第二平面。 |
