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一种改质无机粉体，包括：一无机粉体，其表面具有羟基；以及一表面改质剂，经由氨基甲酸酯键结(urethane linkage)连接至该无机粉体，且该表面改质剂末端具有一乙烯不饱和基(ethylenically unsaturated groups)。如申请专利范围第1项所述之改质无机粉体，其中该无机粉体包括：金属氢氧化物或氧化物。如申请专利范围第2项所述之改质无机粉体，其中该金属氢氧化物包括：氢氧化铝或氢氧化镁。如申请专利范围第2项所述之改质无机粉体，其中该氧化物包括：二氧化矽、二氧化钛、或氧化锌。如申请专利范围第1项所述之改质无机粉体，其中该表面改质剂为同时具有异氰酸酯官能基与乙烯不饱和基之单体、寡聚物、或预聚物。如申请专利范围第1项所述之改质无机粉体，其中该改质无机粉体系分散在一非反应性溶剂中。如申请专利范围第6项所述之改质无机粉体，其中该非反应性溶剂包括：酮类溶剂、醚类溶剂、酯类溶剂、脂肪族溶剂、芳香烃溶剂、环烷烃溶剂、或前述之组合。如申请专利范围第1项所述之改质无机粉体，其中该改质无机粉体系分散在一反应性溶剂中。如申请专利范围第8项所述之改质无机粉体，其中该反应性溶剂为不含-SH、-OH、-NH2、-NHR、-COOH官能基之反应单体或寡聚合物，其中R代表烷基。如申请专利范围第9项所述之改质无机粉体，其中该反应性溶剂包括：苯乙烯、丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸苯甲基酯、甲基丙烯酸苯甲基酯、或前述之组合。如申请专利范围第1项所述之改质无机粉体，更包括一高分子包覆该无机粉体。一种无机粉体之表面改质方法，包括下列步骤：提供一无机粉体，其表面具有羟基；提供一表面改质剂，其一端具有异氰酸酯官能基，且另一端具有乙烯不饱和键；以及混合该无机粉体与该表面改质剂，使该表面改质剂之异氰酸酯官能基与该无机粉体之羟基反应而接枝至该无机粉体上。如申请专利范围第12项所述之无机粉体之表面改质方法，其中在混合该无机粉体与该表面改质剂之前，更包括对该无机粉体进行烘乾处理。如申请专利范围第13项所述之无机粉体之表面改质方法，其中该烘乾处理的温度110~130℃。如申请专利范围第12项所述之无机粉体之表面改质方法，其中该无机粉体包括：金属氢氧化物或氧化物。如申请专利范围第15项所述之无机粉体之表面改质方法，其中该金属氢氧化物包括：氢氧化铝或氢氧化镁。如申请专利范围第15项所述之无机粉体之表面改质方法，其中该氧化物包括：二氧化矽、二氧化钛、或氧化锌。如申请专利范围第12项所述之无机粉体之表面改质方法，其中该表面改质剂为一单体、寡聚物、或预聚物。如申请专利范围第12项所述之无机粉体之表面改质方法，更包括添加一促进异氰酸酯基与羟基反应之催化剂。如申请专利范围第19项所述之无机粉体之表面改质方法，其中该催化剂包括：二月桂酸二丁基锡或辛酸亚锡。如申请专利范围第12项所述之无机粉体之表面改质方法，其中该反应系在20~80℃的温度下进行。如申请专利范围第12项所述之无机粉体之表面改质方法，其中该反应系在一不含-SH、-OH、-NH2、-NHR、-COOH官能基之非反应性溶剂中进行，其中R代表烷基。如申请专利范围第22项所述之无机粉体之表面改质方法，其中该非反应性溶剂包括：酮类溶剂、醚类溶剂、酯类溶剂、脂肪族溶剂、芳香烃溶剂、环烷烃溶剂、或前述之组合。如申请专利范围第12项所述之无机粉体之表面改质方法，其中该反应系在一反应性溶剂中进行。如申请专利范围第24项所述之无机粉体之表面改质方法，其中该反应性溶剂为不含-SH、-OH、-NH2、-NHR、-COOH官能基之反应单体或寡聚合物，其中R代表烷基。如申请专利范围第25项所述之无机粉体之表面改质方法，其中该反应性溶剂包括：苯乙烯、丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸苯甲基酯、甲基丙烯酸苯甲基酯、或前述之组合。如申请专利范围第12项所述之无机粉体之表面改质方法，更包括：将该接枝后之无机粉体与一反应单体、寡聚合物、或预聚合物进行一交联反应形成一有机/无机复合材料；以及将该复合材料粉碎制粒形成表面包覆高分子之无机粉体。 |
