| 主权项 |
一种自非挥发性储存器读取资料之方法，包括：于一对于一所选非挥发性储存元件之读取过程期间，施加一读取电压至该所选非挥发性储存元件；依据该所选非挥发性储存元件之一邻近者的一当前电压相关条件，对于该邻近者使用一特定电压，在该读取过程期间对于该邻近者使用该特定电压；及在该读取过程期间感测该所选非挥发性储存元件之一电压相关条件。如请求项1之方法，其中：该对于该邻近者使用该特定电压包括：施加多个电压至该邻近者，该多个电压中之一者系该特定电压，该感测该电压相关条件系回应该特定电压予以执行。如请求项1之方法，进一步包括：在施加该特定电压至该邻近者之前，读取该邻近者之该当前电压相关条件。如请求项3之方法，其中：该邻近者与该所选非挥发性储存元件系多状态式快闪记忆体装置；该读取该邻近者之该当前电压相关条件包括：判定该邻近者被程式化至哪一状态；该对于一邻近者使用该特定电压包括：施加多个电压至该邻近者，其包括对于该邻近者可被程式化至其的每一状态施加一个电压，该多个电压中之一者系该特定电压，该特定电压相关联于该邻近者被程式化至其的该状态；回应该多个电压中之非相关联于该邻近者被程式化至其的该状态的电压而感测的资料被丢弃；及该感测该电压相关条件系回应该特定电压予以执行。如请求项1之方法，其中：该所选非挥发性储存元件系一种多状态式快闪记忆体装置，其储存经程式化至一第一页与一第二页之资料的至少两个位元；该所选非挥发性储存元件能够处于一第一状态、一第二状态、一第二状态或一第四状态；一第一比较位准存在于该第一状态与该第二状态之间；一第二比较位准存在于该第二状态与该第三状态之间；一第三比较位准存在于该第三状态与该第四状态之间；该施加步骤、该使用步骤与该感测步骤系属于一使用该第三比较点来读取该第一页之过程的部分；及该方法进一步包括：不考虑该邻近者的该当前电压相关条件，回应该第一比较位准而感测该所选非挥发性储存元件之该电压相关条件。如请求项1之方法，进一步包括：判定该邻近者被程式化，对于该邻近者使用该特定电压之该步骤系回应该判定该邻近者被程式化予以执行。如请求项1之方法，其中：该所选非挥发性储存元件系一种多状态式快闪记忆体装置，其储存经程式化至一第一页与一第二页之资料的至少两个位元；该所选非挥发性储存元件能够处于一第一状态、一第二状态、一第二状态或一第四状态；一第一比较位准存在于该第一状态与该第二状态之间；一第二比较位准存在于该第二状态与该第三状态之间；一第三比较位准存在于该第三状态与该第四状态之间；该方法进一步包括：判定待自该第一页读取资料；该对于一邻近者使用该特定电压包括：施加两个不同电压至该邻近者，该两个不同电压中之一者系该特定电压，该特定电压相关联于该邻近者被程式化至其的一已决定状态；回应该多个电压中之非相关联于该邻近者被程式化至其的该状态的电压而感测的资料被丢弃；该读取电压对应于该第二比较位准；及该感测该电压相关条件系回应该特定电压及该第二比较位准予以执行。如请求项1之方法，其中：该所选非挥发性储存元件系一种多状态式快闪记忆体装置，其储存经程式化至一第一页与一第二页之资料的至少两个位元；该所选非挥发性储存元件能够处于一第一状态、一第二状态、一第二状态或一第四状态；存在用于读取之三个比较位准包括一第一比较位准、一第二比较位准及一第三比较位准；该第一比较位准存在于该第一状态与该第二状态之间，该读取电压对应于该第一比较位准；该第二比较位准存在于该第二状态与该第三状态之间；该第三比较位准存在于该第三状态与该第四状态之间；该方法进一步包括：判定待自该第二页读取资料；该对于一邻近者使用该特定电压包括：对于该三个比较位准，施加两个不同电压至该邻近者，该两个不同电压中之一者系该特定电压，该特定电压相关联于该邻近者被程式化至其的一已决定状态；该感测该电压相关条件系回应该第一比较位准及该特定电压予以执行；及该方法进一步包括：回应该第二比较位准及该特定电压而进行感测，回应该第三比较位准及该特定电压而进行感测，并且判定该所选非挥发性储存元件中储存的资料。如请求项1之方法，其中：该所选非挥发性储存元件包括继对于一第一群组资料写入至邻近非挥发性储存元件之后关于一第二群组资料所程式化的资料。如请求项1之方法，进一步包括：接收一读取资料之请求，该施加步骤、该使用步骤与该感测步骤系作为一回应该读取资料之请求的读取过程之部分予以执行；及依据该感测来报告资料。如请求项1之方法，进一步包括：接收一请求以读取若干资料；回应该请求，使用一第一读取操作来读取该等资料；判定一相关联于该等资料之错误之存在，该使用该特定电压系回应该判定该错误之存在予以执行，以自该错误复原该等资料；及报告该等资料。如请求项1之方法，其中：该所选非挥发性储存元件与该邻近者系多状态式NAND快闪记忆体装置。如请求项1之方法，其中：该所选非挥发性储存元件与该邻近者系多状态式快闪记忆体装置。一种非挥发性储存系统，包括：复数个非挥发性储存元件；及一或多个管理电路，其与该复数个非挥发性储存元件通信，该一或多个管理电路藉由施加一读取比较电压至一所选字线以自经连接至该所选字线的一所选非挥发性储存元件读取资料，该一或多个管理电路施加一第一传送电压至一第一组非所选字线，同时施加一第二传送电压至一邻近非所选字线，该一或多个管理电路结合该读取比较电压、该第一传送电压及该第二传送电压来感测该所选非挥发性储存元件之一电压相关条件。如请求项14之非挥发性储存系统，其中：该一或多个管理电路感测关于经连接至该邻近非所选字线之非挥发性储存元件的资讯，并且依据关于该邻近非挥发性储存元件之该资讯来选择是否使用该第二传送电压。如请求项14之非挥发性储存系统，其中：该一或多个管理电路感测关于经连接至该邻近非所选字线并且系该所选非挥发性储存元件之一邻近者的一非挥发性储存元件之资讯；该一或多个管理电路执行该施加该读取比较电压、施加该第一传送电压、施加该第二传送电压及感测该电压相关条件之额外反覆过程，且在不同反覆过程期间改变该第二传送电压；及该一或多个管理电路依据相关联于关于该邻近非挥发性储存元件之该感测资讯的该等反覆过程中之一者，来判定正被读取之该非挥发性储存元件中储存之资料。如请求项14之非挥发性储存系统，其中：该一或多个管理电路感测该所选非挥发性储存元件之该电压相关条件以作为一用于该所选非挥发性储存元件之程式化过程期间的一验证操作之部分。如请求项14之非挥发性储存系统，其中：该一或多个管理电路感测该所选非挥发性储存元件之该电压相关条件以作为一读取过程之部分。如请求项14之非挥发性储存系统，其中：该一或多个管理电路判定该所选非挥发性储存元件之一邻近者被程式化，该施加该第二传送电压系回应该判定该邻近者被程式化予以执行。如请求项14之非挥发性储存系统，其中：该所选非挥发性储存元件包括继对于一第一群组资料写入至邻近非挥发性储存元件之后关于一第二群组资料所程式化的资料。如请求项14之非挥发性储存系统，其中：该一或多个管理电路接收一读取资料之请求，该感测该所选非挥发性储存元件之该电压相关条件系作为一回应该读取资料之请求的读取过程之部分予以执行；及该一或多个管理电路依据该感测来报告该等资料。如请求项14之非挥发性储存系统，其中：该一或多个管理电路接收一请求以读取若干资料；该一或多个管理电路回应该请求，使用一第一读取操作来读取该等资料；该一或多个管理电路判定一相关联于该等资料之错误之存在；及该施加该读取比较电压、施加该第一传送电压、施加该第二传送电压至该邻近非所选字线及感测该电压相关条件系回应该判定该错误之存在予以执行，以自该错误复原该等资料；及该一或多个管理电路报告该经复原之资料。如请求项14之非挥发性储存系统，其中：该复数个非挥发性储存元件系多状态式NAND快闪记忆体装置。如请求项14之非挥发性储存系统，其中：该复数个非挥发性储存元件系多状态式快闪记忆体装置。如请求项14之非挥发性储存系统，其中：该复数个非挥发性储存元件系NAND快闪记忆体装置。如请求项14之非挥发性储存系统，其中：该一或多个管理电路包括一状态机、解码器与感测放大器中之任一者或一组合。 |
