| 主权项 |
一种液晶显示器结构，至少包含：复数条资料线，排列于该基板上，并以互相平行方式排列在第一方向上；复数条扫描线，平行排列于第二方向上，并与该些资料线交叉，其中该些扫描线被分成第一群与第二群，且该第一群扫描线与该第二群扫描线彼此交错排列，其中任相邻之两条资料线，与任相邻两条扫描线共同围出一画素区域；复数条共同电极线，排列于第二方向上，并分别位于每一画素区域中，而将每一画素区域分隔成一第一次画素区与一第二次画素区；复数个第一切换元件形成于该些资料线与该第二群扫描线之交叉点邻近处，其中该些第一切换元件排列在对应画素区域之第一次画素区中；复数个第二切换元件形成于该些资料线与该第一群扫描线之交叉点邻近处，其中该些第二切换元件排列在对应画素区域之第二次画素中，其中该些第二切换元件系透过相邻画素区域中之该些第一切换元件与对应资料线相接；以及复数个画素电极分别连接该些切换元件。如申请专利范围第1项所述之液晶显示器结构，更包括复数个第三切换元件形成于该些资料线与该第二群扫描线之交叉点上，其中该些第三切换元件是以沿第二方向延伸之方式分别排列在对应画素区域之第一次画素区中，且该些第三切换元件系分别透过对应之该第一切换元件与对应之资料线耦接。如申请专利范围第2项所述之液晶显示器结构，其中该些第二切换元件系耦接于相邻画素区域中之该些第一切换元件与该些第三切换元件之共同接点上。如申请专利范围第1项所述之液晶显示器结构，其中该切换元件为电晶体。如申请专利范围第1项所述之液晶显示器结构，其中该共同电极与对应之画素电极形成一储存电容。如申请专利范围第1项所述之液晶显示器结构，其中该第一方向与该第二方向系实质上垂直。如申请专利范围第1项所述之液晶显示器结构，其中该结构更包含一资料线驱动积体电路用以传送画素电压给该些资料线。如申请专利范围第1项所述之液晶显示器结构，其中该结构更包含一扫描线驱动积体电路用以传送扫描讯号至该些扫描线。一种液晶显示器结构，系形成于一基板上，该画素至少包含：复数条资料线，排列于该基板上，并以互相平行方式排列在第一方向上；复数条扫描线，平行排列于第二方向上，并与该些资料线交叉，其中任相邻之两条资料线，分别为第一与第二，与任相邻两条扫描线，分别为第一与第二，共同围出一画素区域，其中每一画素区域至少包括：第一画素电极；第二画素电极；一共同电极，排列于第二方向上，其中该共同电极与该第一画素电极构成第一次画素区，而该共同电极与该第二画素电极构成第二次画素区；一第一电晶体，位于该第一次画素区，该第一电晶体之闸极端耦接至该第一扫描线，该第一电晶体之第一源/汲极端耦接于该第一资料线，该第一电晶体之第二源/汲极端耦接于该第一画素电极；以及一第二电晶体，位于该第二次画素区，该第二电晶体之闸极端耦接至该第二扫描线，该第二电晶体之第一源/汲极端耦接于相邻画素中第一电晶体之第二源/汲极端，使得该第二电晶体系透过该相邻画素中第一电晶体连接于该第一资料线，而该第二电晶体之第二源/汲极端则耦接于该第二画素电极。如申请专利范围第9项所述之液晶显示器结构，更包括一第三电晶体，位于该第一次画素区，该第三电晶体之闸极端耦接至该第一扫描线，该第三电晶体之第一源/汲极端耦接于该第一电晶体之第二源/汲极端，使得该第三电晶体系透过该第一电晶体连接于该第一资料线，而该第三电晶体之第二源/汲极端则耦接于该第一画素电极。如申请专利范围第10项所述之液晶显示器结构，其中该些第二电晶体系耦接于相邻画素区域中之该第一电晶体与该第三电晶体之共同接点上。如申请专利范围第9项所述之液晶显示器结构，其中该共同电极与对应之画素电极形成一储存电容。如申请专利范围第9项所述之液晶显示器结构，其中该第一方向与该第二方向系实质上垂直。如申请专利范围第9项所述之液晶显示器结构，其中该结构更包含一资料线驱动积体电路用以传送画素电压给该些资料线。如申请专利范围第9项所述之液晶显示器结构，其中该结构更包含一扫描线驱动积体电路用以传送扫描讯号至该些扫描线。一种液晶显示器结构，系形成于一基板上，该画素至少包含：复数条扫瞄线，排列于该基板上，并以互相平行方式排列在第一方向上；复数条扫描线，平行排列于第二方向上，并与该些资料线交叉，其中任相邻之两条资料线，分别为第一与第二，与任相邻两条扫描线，分别为第一与第二，共同围出一画素区域，其中每一画素区域至少包括：第一画素电极；第二画素电极；一共同电极，排列于第二方向上，其中该共同电极与该第一画素电极构成第一次画素区，而该共同电极与该第二画素电极构成第二次画素区；一第一电晶体，位于该第一次画素区，该第一电晶体之闸极端耦接至该第一扫描线，该第一电晶体之第一源/汲极端耦接于该第一资料线，该第一电晶体之第二源/汲极端耦接于该第一画素电极；一第二电晶体，位于该第一次画素区，该第二电晶体之闸极端耦接至该第一扫描线，该第二电晶体之第一源/汲极端耦接于该第一电晶体之第二源/汲极端，使得该第二电晶体系透过该第一电晶体连接于该第一资料线，而该第二电晶体之第二源/汲极端则耦接于该第一画素电极；以及一第三电晶体，位于该第二次画素区，该第三电晶体之闸极端耦接至该第二扫描线，该第三电晶体之第一源/汲极端耦接于相邻画素中第一电晶体与第二电晶体之共同接点上，使得该第三电晶体系透过该相邻画素中第一电晶体连接于该第一资料线，而该第三电晶体之第二源/汲极端则耦接于该第二画素电极。如申请专利范围第16项所述之液晶显示器结构，其中该共同电极与对应之画素电极形成一储存电容。如申请专利范围第16项所述之液晶显示器结构，其中该第一方向与该第二方向系实质上垂直。如申请专利范围第16项所述之液晶显示器结构，其中该结构更包含一资料线驱动积体电路用以传送画素电压给该些资料线。如申请专利范围第16项所述之液晶显示器结构，其中该结构更包含一扫描线驱动积体电路用以传送扫描讯号至该些扫描线。一种驱动方法，系用以驱动申请专利范围第9项所述之液晶显示器结构，该方法包含：依序提供一脉冲信号给该些扫描线，其中相邻两扫描线之脉冲信号部分重叠；以及依序提供一二阶信号给该些资料线，其中该二阶信号包含第一电压信号与第二电压信号，其中当形成一画素区域之第一与第二扫描线同时受到该脉冲信号驱动时，该第一电压信号会经由该第一电晶体写入第一次画素区，而当第一扫描线没受脉冲信号驱动，而第二扫描线与相邻画素区之第一扫描线受该脉冲信号驱动时，该第二电压信号会经由该相邻画素之第一电晶体与该第二电晶体写入第二次画素，使得该画素区域呈现两种不同电压信号。如申请专利范围第21项所述之驱动方法，其中相邻两扫描线之脉冲信号重叠部分为脉冲宽度之一半。如申请专利范围第21项所述之驱动方法，其中该第一电压信号大于该第二电压信号。一种驱动方法，系用以驱动申请专利范围第16项所述之液晶显示器结构，该方法包含：提供一第一信号给第一扫描线；提供一第二信号给第二扫描线，其中该第一信号与该第二信号部分重叠；以及依序提供一二阶信号给该些资料线，其中该二阶信号包含第一电压信号与第二电压信号，其中当形成一画素区域之第一扫描线受到该第一信号驱动时，该第一电压信号会经由该第一电晶体和该第二电晶体写入第一次画素区，而当第一扫描线没受该第一信号驱动，而第二扫描线受第二信号驱动且相邻画素区之第一扫描线受第一信号驱动时，该第二电压信号会经由该相邻画素区之第一电晶体与该第二电晶体写入第二次画素，使得该画素区域呈现两种不同电压信号。如申请专利范围第24项所述之驱动方法，其中该第一信号与该第二信号部重叠部分之宽度为该第一信号宽度之一半。如申请专利范围第24项所述之驱动方法，其中该第一信号与该第二信号均为脉冲信号。如申请专利范围第26项所述之驱动方法，其中当形成一画素区域之第一扫描线受到脉冲信号时，更包括第二扫描线亦受到脉冲信号驱动。如申请专利范围第24项所述之驱动方法，其中该第一信号为一脉冲信号，该第二信号为一时脉信号。如申请专利范围第28项所述之驱动方法，其中当形成一画素区域之第一扫描线受到该脉冲信号驱动时，更包括形成一画素区域之第二扫描线未受到该时脉信号驱动。如申请专利范围第24项所述之驱动方法，其中该第一电压信号大于该第二电压信号。 |
