| 主权项 |
一种固体摄像装置，系于半导体基板上具备有感光区域，该感光区域系为，将由：光电转换手段、信号电荷传送手段、信号电荷蓄积手段、放大手段、以及信号电荷排出手段所构成之元件以二维状配列而成；并且前述放大手段，系使前述信号电荷排出手段动作之电源电压之低位准电位为较零电位更高的电位。如申请专利范围第1项之固体摄像装置，其中，前述信号电荷排出手段系重设电晶体，在供给前述低位准电位至前述重设电晶体时，于前述重设电晶体之闸极下所形成之通道电位系较前述低位准电位更高。如申请专利范围第1项之固体摄像装置，其中，前述信号电荷传送手段系传送电晶体，前述信号电荷传送手段系透过前述信号电荷排出手段与前述电源电压连接，在供给前述低位准电位至前述传送电晶体时，于前述传送电晶体之闸极下所形成之通道电位系较前述低位准电位更高。如申请专利范围第2项之固体摄像装置，其中，前述放大手段系放大电晶体，在供给前述低位准电位至前述重设电晶体时，前述放大电晶体系不动作。如申请专利范围第1项之固体摄像装置，其中，在供给前述低位准电位至前述信号电荷排出手段时，不驱动前述固体摄像装置全体而读出画素。如申请专利范围第1项之固体摄像装置，其中，前述光电转换手段系光电二极体，在供给前述低位准电位至前述信号电荷排出手段时，前述光电二极体的通道电位系较前述低位准电位更高。如申请专利范围第1项之固体摄像装置，其中，前述感光区域系形成于p型基板上。如申请专利范围第1项之固体摄像装置，其中，前述感光区域系形成于n型基板上的p型井内。如申请专利范围第1项之固体摄像装置，复具备：垂直选择手段，系驱动前述信号电荷传送手段及前述信号电荷排出手段；复数条垂直信号线，系读出配列于相同行之前述放大手段的输出；杂讯抑制手段，系设置于前述垂直信号线的一端；水平读出手段，系与前述杂讯抑制手段电性连接；以及水平选择手段，系驱动前述水平读出手段。 |
