| 主权项 |
一种背对背晶片堆叠构造，包含：一基板；一第一晶片，其系设置于该基板上；以及一第二晶片，其系叠设于该第一晶片上并电性连接至该基板；其中，该第一晶片系具有一第一背面图案，该第二晶片系具有一第二背面图案，该第一背面图案系与该第二背面图案为凹凸囓合，其中该第一背面图案系具有凸形截面，该第二背面图案系具有凹形截面。如申请专利范围第1项所述之背对背晶片堆叠构造，其中该第一背面图案之高度差系介于该第一晶片之厚度三分之一至三分之二。如申请专利范围第2项所述之背对背晶片堆叠构造，其中该第二背面图案之高度差系介于为该第二晶片之厚度三分之一至三分之二。如申请专利范围第1项所述之背对背晶片堆叠构造，其中该第一背面图案之高度差系约为该第一晶片之厚度二分之一，而该第二背面图案之高度差系约为该第二晶片之厚度二分之一。如申请专利范围第1项所述之背对背晶片堆叠构造，其中该第一晶片系为覆晶晶片，该第二晶片系为打线型晶片。如申请专利范围第1项所述之背对背晶片堆叠构造，其中该第二晶片系具有复数个焊垫，其系对准于该第二背面图案之凹形截面边缘。如申请专利范围第1项所述之背对背晶片堆叠构造，另包含有复数个焊线，其系电性连接该第二晶片至该基板。如申请专利范围第1项所述之背对背晶片堆叠构造，其中该第一晶片与该第二晶片系皆为打线型晶片。如申请专利范围第8项所述之背对背晶片堆叠构造，其中该基板系具有至少一槽孔，以供打线连接该第一晶片与该基板。如申请专利范围第1项所述之背对背晶片堆叠构造，另包含有一黏晶层，其系非平面黏接该第一晶片之该第一背面图案与该第二晶片之该第二背面图案。如申请专利范围第1项所述之背对背晶片堆叠构造，另包含有一封胶体，其系形成于该基板上，以密封该第一晶片与该第二晶片。如申请专利范围第1项所述之背对背晶片堆叠构造，其中该第一晶片与该第二晶片系具有相同功能与尺寸。如申请专利范围第1项所述之背对背晶片堆叠构造，其中该第一背面图案系与该第二背面图案系为相互重叠对齐的凹凸形状。一种背对背晶片堆叠构造，包含：一基板；一第一晶片，其系设置于该基板上；以及一第二晶片，其系叠设于该第一晶片上并电性连接至该基板；其中，该第一晶片系具有一第一背面图案，该第二晶片系具有一第二背面图案，该第一背面图案系与该第二背面图案为凹凸囓合，其中该第一背面图案与该第二背面图案系具有相互对应之波形截面，所述波形截面系为锯齿状。如申请专利范围第14项所述之背对背晶片堆叠构造，另包含有复数个焊线，其系电性连接该第二晶片至该基板。如申请专利范围第14项所述之背对背晶片堆叠构造，其中该第一晶片与该第二晶片系皆为打线型晶片。如申请专利范围第16项所述之背对背晶片堆叠构造，其中该基板系具有至少一槽孔，以供打线连接该第一晶片与该基板。如申请专利范围第14项所述之背对背晶片堆叠构造，另包含有一黏晶层，其系非平面黏接该第一晶片之该第一背面图案与该第二晶片之该第二背面图案。如申请专利范围第14项所述之背对背晶片堆叠构造，另包含有一封胶体，其系形成于该基板上，以密封该第一晶片与该第二晶片。如申请专利范围第14项所述之背对背晶片堆叠构造，其中该第一晶片与该第二晶片系具有相同功能与尺寸。如申请专利范围第14项所述之背对背晶片堆叠构造，其中该第一背面图案系与该第二背面图案系为相互重叠对齐的凹凸形状。 |
