| 主权项 |
一种鳍形场效电晶体(FinFET)，其包含：一定位于一基板上之第一鳍形结构；一定位于该基板上之第二鳍形结构；与该第一鳍形结构相邻之若干第一间隔片；及与该第二鳍形结构相邻之若干第二间隔片；其中与该第二鳍形结构被该等第二间隔片覆盖之该部分相比，该第一鳍形结构被该等第一间隔片覆盖一更大之部分，及其中该等第一间隔片系大于该等第二间隔片且该等第一间隔片与该等第二间隔片之间的尺寸之差异经调适以提供该第一鳍形结构与该第二鳍形结构之间的一差异。如请求项1之FinFET，其中该等第一间隔片与该等第二间隔片之间的尺寸差异经调适以提供该第一鳍形结构与该第二鳍形结构之间的一掺杂差异。如请求项2之FinFET，其中与该第二鳍形结构相比，该第一鳍形结构与该第二鳍形结构之间的该掺杂差异改变了该第一鳍形结构之一有效通道宽度。如请求项1之FinFET，其中该等第一间隔片及该等第二间隔片包括掺杂杂质，其经调适以扩散入该第一鳍形结构与该第二鳍形结构之相邻部分，以便使与每一间隔片相邻之每一鳍形结构之该部分包含该元件之一电气非活性部分。一种鳍形场效电晶体(FinFET)，其包含：一定位于一基板上之第一鳍形结构；一定位于该基板上之第二鳍形结构；与该第一鳍形结构相邻之若干第一间隔片；及与该第二鳍形结构相邻之若干第二间隔片；其中与该第二鳍形结构被该等第二间隔片覆盖之该部分相比，该第一鳍形结构被该等第一间隔片覆盖一更大之部分，及其中该第一鳍形结构与该第二鳍形结构具有相同之实体尺寸。一种鳍形场效电晶体(FinFET)，其包含：一定位于一基板上之第一鳍形结构；一定位于该基板上之第二鳍形结构；与该第一鳍形结构相邻之若干第一间隔片；及与该第二鳍形结构相邻之若干第二间隔片；其中与该第二鳍形结构被该等第二间隔片覆盖之该部分相比，该第一鳍形结构被该等第一间隔片覆盖一更大之部分，其进一步包含：在该第一鳍形结构及该第二鳍形结构上之至少一闸极导体；及一定位于该闸极导体与该第一鳍形结构及该第二鳍形结构之间的闸极绝缘体。如请求项1之FinFET，其中该等第一间隔片及该等第二间隔片包含相同材料。一种鳍形场效电晶体(FinFET)，其包含：在一基板上之一内埋氧化层；一定位于该内埋氧化层上之第一鳍形结构；一定位于该内埋氧化层上之第二鳍形结构；仅与该第一鳍形结构相邻之若干间隔片；一覆盖于该第二鳍形结构之整个长度上的闸极绝缘体。如请求项8之FinFET，其中该等间隔片经调适以提供该第一鳍形结构与该第二鳍形结构之间的一掺杂差异。如请求项9之FinFET，其中与该第二鳍形结构相比，该第一鳍形结构与该第二鳍形结构之间的该掺杂差异改变了该第一鳍形结构之一有效通道宽度。如请求项8之FinFET，其中该等间隔片包括若干掺杂杂质，其经调适以扩散入该第一鳍形结构之相邻部分，以便使与该等第一间隔片相邻之该第一鳍形结构之该部分包含该元件之一电氧非活性部分。如请求项8之FinFET，其中该第一鳍形结构与该第二鳍形结构具有相同实体尺寸。如请求项8之FinFET，其进一步包含在该第一鳍形结构及该第二鳍形结构上之至少一闸极导体。如请求项8之FinFET，其中该闸极绝缘体进一步沿该第一鳍形结构之未受该等间隔片覆盖的部分置放。如请求项8之FinFET，其中该等第一间隔片及该等第二间隔片包含相同材料。一种制造一鳍形场效电晶体(FinFET)结构之方法，该方法包含：在一基板上形成一第一鳍形结构及一第二鳍形结构；形成与该第一鳍形结构相邻之若干第一间隔片及与该第二鳍形结构相邻之若干第二间隔片；及移除该等第二间隔片之一部分，使得与该第二鳍形结构被该等第二间隔片覆盖之该部分相比，该第一鳍形结构被该等第一间隔片覆盖一更大之部分。如请求项16之方法，其进一步包含：在移除该等第二间隔片之该部分后，在该第一鳍形结构及该第二鳍形结构上形成至少一闸极导体。如请求项17之方法，其进一步包含：在形成该闸极导体前，在该第一鳍形结构及该第二鳍形结构上形成一闸极绝缘体。如请求项18之方法，其进一步包含：在移除该等第二间隔片之该部分后，掺杂该第一鳍形结构及该第二鳍形结构之未受该等第一间隔片及该等第二间隔片保护之部分，使得该第一鳍形结构与该第二鳍形结构之间存在一掺杂差异。如请求项19之方法，其中与该第一鳍形结构相比，该第一鳍形结构与该第二鳍形结构之间的一差异改变了该第二鳍形结构之一有效通道宽度。如请求项20之方法，其中该第一鳍形结构与该第二鳍形结构具有相同尺寸，其中该宽度为垂直于该内埋氧化层之该表面方向上之距离的一量测值。如请求项16之方法，其中该等第一间隔片及该等第二间隔片包含相同材料。一种制造一鳍形场效电晶体(FinFET)结构之方法，该方法包含：在一基板上形成一内埋氧化层；在该内埋氧化层上形成一第一鳍形结构及一第二鳍形结构；形成仅与该第一鳍形结构相邻之若干第一间隔片及与该第二鳍形结构相邻之若干第二间隔片；及移除该等第二间隔片之一部分。如请求项23之方法，其进一步包含：在移除该等第二间隔片之该部分后，在该第一鳍形结构及该第二鳍形结构上形成至少一闸极导体。如请求项23之方法，其进一步包含：在形成该闸极导体之前，在该第一鳍形结构、该第二鳍形结构、该等第一间隔片及该等第二间隔片上形成一闸极绝缘体。如请求项25之方法，其进一步包含：在移除该等第二间隔片之该部分后，掺杂该第一鳍形结构及该第二鳍形结构之未受该等第一间隔片及该等第二间隔片保护之部分，使得在该第一鳍形结构与该第二鳍形结构之间存在一掺杂差异。如请求项26之方法，其中与该第一鳍形结构相比，该第一鳍形结构与该第二鳍形结构之间的一掺杂差异改变了该第二鳍形结构之一有效通道宽度。如请求项27之方法，其中该第一鳍形结构与该第二鳍形结构具有相同尺寸，其中该宽度为垂直于该内埋氧化层之该表面方向上之距离的一量测值。如请求项23之方法，其中该等第一间隔片与该等第二间隔片包含相同材料。 |
