| 主权项 |
一种二极体泵浦雷射，包含：一腔室，由两个或更多反射面所定义；以及一增益媒介，放置于该腔室内，其中在该增益媒介内之内部红外线辐射的最高强度大于约0.01十亿瓦特/平方公分，其中该增益媒介包含使增益媒介抗离子化辐射的共同掺杂离子，藉此该增益媒介对抗红外线辐射之损坏。如申请专利范围第1项之二极体泵浦雷射，其中相较于没有共同掺杂离子的相同或实质类似增益媒介，共同掺杂离子之增益媒介中的浓度足以将源自红外线辐射之增益媒介的退化率减少因子2或者更多。如申请专利范围第1项之二极体泵浦雷射，其中该增益媒介是一固态材料。如申请专利范围第1项之二极体泵浦雷射，其中该增益媒介是一纤维，该雷射是一纤维雷射。如申请专利范围第1项之二极体泵浦雷射，其中该固态材料是一结晶材料。如申请专利范围第1项之二极体泵浦雷射，其中该增益媒介是一氟化物晶体或一氧化物晶体。如申请专利范围第1项之二极体泵浦雷射，其中该增益媒介是一石榴石。如申请专利范围第1项之二极体泵浦雷射，其中该增益媒介是从钇铝石榴石、钆镓石榴石、钆钪镓石榴石与钇钪镓石榴石的群组选出。如申请专利范围第1项之二极体泵浦雷射，其中该增益媒介是钇铝石榴石。如申请专利范围第1项之二极体泵浦雷射，其中该增益媒介是掺铥钬钇铝石榴石、掺镱钇铝石榴石、掺钕钇铝石榴石或掺铒钇铝石榴石。如申请专利范围第1项之二极体泵浦雷射，其中该增益媒介是掺钕钒酸钇或掺钕铝酸钇。如申请专利范围第1项之二极体泵浦雷射，其中该增益媒介是掺钕钇铝石榴石。如申请专利范围第12项之二极体泵浦雷射，其中该共同掺杂离子是Cr3+离子或者Ce3+离子。如申请专利范围第13项之二极体泵浦雷射，其中该共同掺杂离子以约0.01%与约5%之间的掺杂度而存在于增益媒介中。如申请专利范围第14项之二极体泵浦雷射，其中该共同掺杂离子以约0.5%与约1%之间的掺杂度而存在于增益媒介中。如申请专利范围第1项之二极体泵浦雷射，进一步包含Q切换配置于腔室内。如申请专利范围第16项之二极体泵浦雷射，其中该雷射是低杂讯的Q切换雷射。如申请专利范围第16项之二极体泵浦雷射，其中该雷射是主动式Q切换雷射。如申请专利范围第1项之二极体泵浦雷射，进一步包含配置于腔室内的构件，其系用来频率转换来自增益媒介之激发辐射。如申请专利范围第19项之二极体泵浦雷射，其中频率转换用的构件会产生较高谐频的激发辐射。如申请专利范围第1项之二极体泵浦雷射，其中该雷射是一三倍频雷射。如申请专利范围第1项之二极体泵浦雷射，其中该雷射系配置成具有低杂讯。如申请专利范围第1项之二极体泵浦雷射，其中该雷射是以超过临限泵浦强度约5倍来操作。如申请专利范围第1项之二极体泵浦雷射，其中增益媒介内之内部红外线辐射的最高强度大于约0.1十亿瓦特/平方公分。一种使雷射增益媒介对抗内部红外线辐射所引起之损坏的方法，该方法包含：将增益媒介与使增益媒介抗离子化辐射的多数离子共同掺杂，其中该等离子以足以使增益媒介抗长期退化的程度出现在该增益媒介中，该长期退化乃起因于最高强度大于约0.01十亿瓦特/平方公分之内部红外线辐射。如申请专利范围第25项之方法，其中相较于没有共同掺杂离子的相同或实质类似增益媒介，增益媒介中的共同掺杂离子之浓度足以将源自红外线辐射之增益媒介的退化率减少因子2或者更多。如申请专利范围第25项之方法，其中该增益媒介是一固态材料。如申请专利范围第25项之方法，其中该增益媒介是一纤维。如申请专利范围第25项之方法，其中该固态材料是一结晶材料。如申请专利范围第25项之方法，其中该增益媒介是一氟化物晶体或一氧化物晶体。如申请专利范围第25项之方法，其中该增益媒介是一石榴石。如申请专利范围第25项之方法，其中该增益媒介是从钇铝石榴石、钆镓石榴石、钆钪镓石榴石与钇钪镓石榴石的群组选出。如申请专利范围第25项之方法，其中该增益媒介是钇铝石榴石。如申请专利范围第25项之方法，其中该增益媒介是掺铥钬钇铝石榴石、掺镱钇铝石榴石、掺钕钇铝石榴石或掺铒钇铝石榴石。如申请专利范围第25项之方法，其中该增益媒介是掺钕钒酸钇或掺钕铝酸钇。如申请专利范围第25项之方法，其中该增益媒介是掺钕钇铝石榴石。如申请专利范围第36项之方法，其中该离子是Cr3+离子或者Ce3+离子。如申请专利范围第37项之方法，其中该离子以约0.01%与约5%之间的掺杂度而存在于增益媒介中。如申请专利范围第38项之方法，其中该共同掺杂离子以约0.5%与约1%之间的掺杂度而存在于增益媒介中。如申请专利范围第25项之方法，其中增益媒介内之内部红外线辐射的最高强度大于约0.01十亿瓦特/平方公分。一种在与共同掺杂离子共同掺杂之增益媒介之二极体泵浦红外线雷射中的使用，该些离子使增益媒介抗外部离子化辐射，其中在增益媒介内，内部红外线辐射的最高强度大于约0.01十亿瓦特/平方公分。如申请专利范围第41项之使用，其中相较于没有共同掺杂离子的相同或实质类似增益媒介，共同掺杂离子之增益媒介中的浓度足以将源自红外线辐射之增益媒介的退化率减少因子2或者更多。如申请专利范围第41项之使用，其中该增益媒介是一固态材料。如申请专利范围第41项之使用，其中该增益媒介是一纤维，该雷射是一纤维雷射。如申请专利范围第41项之使用，其中该固态材料是一结晶材料。如申请专利范围第41项之使用，其中该增益媒介是一氟化物晶体或一氧化物晶体。如申请专利范围第41项之使用，其中该增益媒介是一石榴石。如申请专利范围第41项之使用，其中该增益媒介是从钇铝石榴石、钆镓石榴石、钆钪镓石榴石与钇钪镓石榴石的群组选出。如申请专利范围第41项之使用，其中该增益媒介是钇铝石榴石。如申请专利范围第41项之使用，其中该增益媒介是掺铥钬钇铝石榴石、掺镱钇铝石榴石、掺钕钇铝石榴石或者掺铒钇铝石榴石。如申请专利范围第41项之使用，其中该增益媒介是掺钕钒酸钇或掺钕铝酸钇。如申请专利范围第41项之使用，其中该增益媒介是掺钕钇铝石榴石。如申请专利范围第41项之使用，其中该离子是Cr3+离子或者Ce3+离子。如申请专利范围第53项之使用，其中该离子以约0.01%与约5%之间的掺杂度而存在于增益媒介中。如申请专利范围第54项之使用，其中该共同掺杂离子以约0.5%与约1%之间的掺杂度而存在于增益媒介中。如申请专利范围第41项之使用，其中该雷射包括来自增益媒介之激发辐射的频率转换构件。如申请专利范围第56项之使用，其中频率转换构件会产生来自增益媒介之较高谐频之激发辐射。如申请专利范围第57项之使用，其中该雷射是一三倍频雷射。如申请专利范围第41项之使用，其中该雷射系配置成具有低杂讯。如申请专利范围第41项之使用，其中在增益媒介内，内部红外线辐射的最高强度大于约0.1十亿瓦特/平方公分。如申请专利范围第41项之使用，其中该雷射是一Q切换雷射。如申请专利范围第61项之使用，其中该Q切换雷射是一低杂讯Q切换雷射。如申请专利范围第62项之使用，其中该雷射是一主动式Q切换雷射。如申请专利范围第41项之使用，其中该雷射可以超过临限泵浦强度5倍地操作。一种雷射放大器，包含一包含共同掺杂离子的增益媒介，该等离子使该增益媒介抗离子化辐射，其中增益媒介内之内部红外线辐射的最高强度大于大约0.01十亿瓦特/平方公分。 |
