| 主权项 |
一种雷射校正片，包含：一不透光层，设有校正图案；一基底层，系设置于该不透光层底面，该基底层与该不透光层之色彩或亮度形成高对比，该基底层为透明材质。如申请专利范围第1项所述之雷射校正片，其中该不透光层可采用涂布、电镀或黏贴技术成型于该基底层顶面。如申请专利范围第2项所述之雷射校正片，其中该不透光层不具有反光性。如申请专利范围第1项所述之雷射校正片，其中该透明材质可为透明压克力、玻璃等材质。如申请专利范围第1项所述之雷射校正片，其中该基底层可以是由两种以上之可透光材料所叠合之透明材质结构。如申请专利范围第5项所述之雷射校正片，其中该透明材质结构可以是在透明压克力或玻璃上涂布、电镀或黏贴高分子材料。如申请专利范围第1项所述之雷射校正片，其更包括至少一光源，用以提供该雷射校正片亮度。如申请专利范围第7项所述之雷射校正片，其中该光源可为一背光源。如申请专利范围第1项所述之雷射校正片，其中该基底层可为高反射性材质。如申请专利范围第9项所述之雷射校正片，其中该高反射性材质可为不锈钢、铁、铝等反射性金属材质。如申请专利范围第9项所述之雷射校正片，其中该基底层可以是由两种以上之材料所叠合之高反射性材质结构。如申请专利范围第11项所述之雷射校正片，其中该高反射性材质结构可以是在两层材料以上之结构上涂布、电镀或黏贴至少一层以上之高反射性材料。如申请专利范围第9项所述之雷射校正片，其中包括至少一光源，用以提供该雷射校正片亮度。如申请专利范围第13项所述之雷射校正片，其中该光源可为上方侧向光源或同轴光源。如申请专利范围第1项所述之雷射校正片，其中该基底层可为发光体。如申请专利范围第15项所述之雷射校正片，其中该发光体可为背光源、EL(冷光)光源。如申请专利范围第16项所述之雷射校正片，其中该基底层可以是由两种以上之材料所重叠之发光体结构。如申请专利范围第17项所述之雷射校正片，其中该发光体结构可以是在两层材料以上之结构上涂布、电镀或黏贴至少一层以上之发光材料。如申请专利范围第1项所述之雷射校正片，其中该不透光层具有点、线或弧构成之规则或不规则几何形状之校正图案。如申请专利范围第19项所述之雷射校正片，其中该校正图案可为点排列而成之对称圆形、方形、矩形或十字图案。如申请专利范围第1项所述之雷射校正片，其中该校正图案系由雷射加工成型。如申请专利范围第1项所述之雷射校正片，其中该不透光层之厚度不大于2mm。一种雷射校正系统，包含：雷射校正片，包含：一不透光层，设有校正图案；一基底层，系设置于该不透光层底面，该基底层与该不透光层之色彩或亮度具有高对比，基底层为透明材质；至少一影像撷取装置，系用以撷取该雷射校正片之影像；一处理单元，系用以处理该影像撷取装置所撷取之该雷射校正片之影像。如申请专利范围第23项所述之雷射校正系统，其中该雷射校正片之不透光层可采用涂布、电镀或黏贴技术成型于该基底层顶面。如申请专利范围第24项所述之雷射校正系统，其中该雷射校正片之不透光层不具有反光性。如申请专利范围第23项所述之雷射校正系统，其中该雷射校正片之透明材质可为透明压克力、玻璃等材质。如申请专利范围第23项所述之雷射校正系统，其中该雷射校正片之基底层可以是由两种以上之可透光材料所叠合之透明材质结构。如申请专利范围第27项所述之雷射校正系统，其中该透明材质结构可以是在透明压克力或玻璃上涂布、电镀或黏贴高分子材料。如申请专利范围第23项所述之雷射校正系统，其中该雷射校正片之基底层可为高反射性材质。如申请专利范围第31项所述之雷射校正系统，其中该高反射性材质可为不锈钢、铁、铝等反射性金属材质。如申请专利范围第30项所述之雷射校正系统，其中该雷射校正片之基底层可以是由两种以上之材料所叠合之高反射性材质结构。如申请专利范围第31项所述之雷射校正系统，其中该高反射性材质结构可以是在两层材料以上之结构上涂布、电镀或黏贴至少一层以上之高反射性材料。如申请专利范围第23项所述之雷射校正系统，其中该雷射校正片之基底层可为发光体。如申请专利范围第33项所述之雷射校正系统，其中该发光体可为背光源、EL(冷光)光源。如申请专利范围第34项所述之雷射校正系统，其中该雷射校正片之基底层可以是由两种以上之材料所重叠之发光体结构。如申请专利范围第35项所述之雷射校正系统，其中该发光体结构可以是在两层材料以上之结构上涂布、电镀或黏贴至少一层以上之发光材料。如申请专利范围第23项所述之雷射校正系统，其中该雷射校正片之不透光层具有点、线或弧构成之规则或不规则几何形状之校正图案。如申请专利范围第37项所述之雷射校正系统，其中该校正图案可为点排列而成之对称圆形、方形、矩形或十字图案。如申请专利范围第23项所述之雷射校正系统，其中该雷射校正片之校正图案系由雷射加工成型。如申请专利范围第23项所述之雷射校正系统，其中该雷射校正片之不透光层之厚度不大于2mm。如申请专利范围第23项所述之雷射校正系统，其中包括至少一光源，用以提供光照于该雷射校正片。如申请专利范围第41项所述之雷射校正系统，其中该光源系提供光照于该雷射校正片之不透光层。如申请专利范围第41项所述之雷射校正系统，其中该光源系提供光照于该雷射校正片之基底层。如申请专利范围第23项所述之雷射校正系统，其系设置有复数光源，其中至少一光源系提供光照于该雷射校正片之不透光层，其余光源系光照于该雷射校正片之基底层。如申请专利范围第23项所述之雷射校正系统，其中该影像撷取装置可以是面形或线型成像装置。如申请专利范围第23项所述之雷射校正系统，其中该影像撷取装置可以搭配至少一组移载平台，用以拍摄并组合成高解析度影像。如申请专利范围第23项所述之雷射校正系统，其中该雷射校正片系设置于一可移动之载台上。如申请专利范围第47项所述之雷射校正系统，于该载台之移动路径上设置有一雷射加工装置，该雷射加工装置系可对该雷射校正片进行雷射图案加工。 |
