| 主权项 |
一种带差参考电路，包括：一输入电路，具有二端点，其中一第一端点直接连接至一第一场效电晶体且该第一场效电晶体具有一第一临限电压，一第二端点与一第二场效电晶体之间连接一第一电阻且该第二场效电晶体具有一第二临限电压；一镜射电路，其可控制该两端点上的二输出电流，使该二输出电流间维持一固定的电流比例；以及一运算放大器，连接至该二端点以及该镜射电路用以控制该镜射电路使得该两端点上的电压具有一电压关系；其中，该第一场效电晶体与该第二场效电晶体皆操作在一次临限区，且该第一临限电压大于该第二临限电压，且该二输出电流不会随着温度变化而改变。如申请专利范围1所述之带差参考电路，其中该第一场效电晶体与该第二场效电晶体皆为一N型场效电晶体，且该第一场效电晶体的闸极与汲极连接至该第一端点，该第一场效电晶体的源极连接至一接地端，该第二场效电晶体的闸极与汲极连接至该第一电阻，该第二场效电晶体的源极连接至该接地端。如申请专利范围1所述之带差参考电路，其中该镜射电路更可产生一第三输出电流其比例于该二输出电流。如申请专利范围3所述之带差参考电路，其中该第三输出电流可流经一第二电阻用以产生一参考电压。如申请专利范围1所述之带差参考电路，其中该第一场效电晶体与该第二场效电晶体的氧化层厚度不同。如申请专利范围1所述之带差参考电路，其中该镜射电路包括二P型场效电晶体，该二P型场效电晶体的闸极相互连接，该二P型场效电晶体的源极连接至一电压源，该二P型场效电晶体的汲极则为该二端点。如申请专利范围6所述之带差参考电路，其中该运算放大器的一输出端连接至该二P型场效电晶体的闸极，该运算放大器的二输入端连接至该两端点。如申请专利范围6所述之带差参考电路，其中该二P型场效电晶体的二长宽比的差异可以决定该固定的电流比例。一种带差参考电路，包括：一输入电路，具有二端点，其中一第一端点直接连接至一第一场效电晶体且该第一场效电晶体具有一第一临限电压，一第二端点与一第二场效电晶体之间连接一负载元件且该第二场效电晶体具有一第二临限电压；一运算放大器，其可根据该二端点间电压差控制该镜射电路；以及一镜射电路，其可根据该运算放大器的控制而调整该两端点上的二输出电流大小，并使该二输出电流间维持一固定的电流比例；其中，该第一场效电晶体与该第二场效电晶体皆操作在一次临限区，且该第一临限电压大于该第二临限电压，且该二输出电流不会随着温度变化而改变。如申请专利范围第9项所述之带差参考电路，其中该负载元件系一电阻。 |
