发明名称 |
场发射显示器之电子放大层 |
摘要 |
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申请公布号 |
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申请公布日期 |
2011.02.11 |
申请号 |
TW094121126 |
申请日期 |
2005.06.24 |
申请人 |
大同股份有限公司 台北市中山区中山北路3段22号;财团法人工业技术研究院 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |
发明人 |
罗吉宗;杨宗翰;邱正茂;赖诗文;林正丰;林兆焄 |
分类号 |
H01J29/00 |
主分类号 |
H01J29/00 |
代理机构 |
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代理人 |
吴冠赐 台北市松山区敦化北路102号9楼;杨庆隆 台北市松山区敦化北路102号9楼;林志鸿 台北市松山区敦化北路102号9楼 |
主权项 |
一种电子放大层,系夹置于一电子发射基板以及一显示面板之间,包括有:至少二绝缘层;以及至少一电子放大电极夹置于二该绝缘层的中间,并且该电子放大电极具有复数个通孔,该电子放大电极通孔表面具有一电子放大材料用以放大撞击到该电子放大电极表面之电子数,其中,每一该通孔之壁面系由一面朝上之斜面和一面朝下之斜面组合而成,该面朝下之斜面系用以收集电子,该面朝上之斜面系用以集中散射电子。如申请专利范围第1项所述之电子放大层,其中该电子放大材料系选自由银镁合金、铜铍合金、铜钡合金、金钡合金、金钙合金及钨钡金合金所成组合之一。如申请专利范围第1项所述之电子放大层,其中该电子放大材料系选自铍氧化物、镁氧化物、钙氧化物、锶氧化物及钡氧化物所成组合之一。如申请专利范围第1项所述之电子放大层,其中该电子放大电极为薄板状之电子放大电极。如申请专利范围第1项所述之电子放大层,其中每二绝缘层之间夹置有一个该电子放大电极。如申请专利范围第1项所述之电子放大层,其中每二绝缘层之间夹置有复数个该电子放大电极。如申请专利范围第1项所述之电子放大层,其中各该通孔之剖面两边均为该面朝上之斜面尺寸较大和该面朝下之斜面尺寸较小。如申请专利范围第1项所述之电子放大层,其中各该通孔之剖面两边均为该面朝上之斜面尺寸较小和该面朝下之斜面尺寸较大。如申请专利范围第1项所述之电子放大层,其中各该通孔之剖面一边为该凹面朝上之斜面尺寸较大和该面朝下之斜面尺寸较小,而与其相对应的另一边系为该面朝上之斜面尺寸较小和该面朝下之斜面尺寸较大。如申请专利范围第1项所述之电子放大层,其中各该通孔之剖面为自由凹斜面或平斜面。如申请专利范围第1项所述之电子放大层,其中各该电子放大电极之该通孔的尺寸是由该电子发射基板往该显示面板的方向逐渐变大。如申请专利范围第1项所述之电子放大层,其中各该电子放大电极之该通孔之中心不在同一条垂直于该电子发射基板之直线上。如申请专利范围第1项所述之电子放大层,其中每一该绝缘层系由复数个绝缘支柱所组成。如申请专利范围第1项所述之电子放大层,其中每一该绝缘层系由复数个连续管壁所组成。 |
地址 |
台北市中山区中山北路3段22号;新竹县竹东镇中兴路4段195号 |