| 主权项 |
一种用于层压于介电基板之平滑表面铜箔，该铜箔包含：沉积于该铜箔之具有低于约1微米之Rz之平滑表面上用以被层压于该介电基板之剥离强度增强涂层，该剥离强度增强涂层实质上系由金属与金属氧化物混合物组成，该金属与金属氧化物混合物系自一种或多种之：钒、铌、钽、铬、钼、钨、锰、鎝、及铼生成。根据申请专利范围第1项之铜箔，其中该金属氧化物系自铬、钨、及钼之元素选出。根据申请专利范围第1项之铜箔，其中该剥离强度增强涂层具有于约20至约200埃之间之厚度。根据申请专利范围第1项之铜箔，其中于层压于该介电基板之前，矽烷系沉积于该剥离强度增强涂层之上。一种物件，包含：介电基板；具有层压于该介电基板之低于约1微米之Rz之平滑表面之铜箔；及安置于该铜箔之平滑表面与该介电基板之间之剥离强度增强涂层，该剥离强度增强涂层系金属与金属氧化物混合物且该金属系选自由一种或多种之钒、铌、钽、铬、钼、钨、锰、鎝、及铼所组成之群，其中当根据IPC-TM-650方法2.4.8.5使用1/8寸试验标本于60℃浸渍于4N HCl中历时6小时后测量时，该铜箔显示小于或等于10%损失之剥离强度。根据申请专利范围第5项之物件，其中该金属氧化物系自铬、钨、及钼之元素选出。根据申请专利范围第5项之物件，其中该剥离强度增强涂层具有于约20至约200埃之间之厚度。根据申请专利范围第5项之物件，其中该剥离强度增强涂层于60℃浸渍于4N HCl中历时6小时后，显示小于或等于10%边缘基蚀。根据申请专利范围第5项之物件，其中该铜箔当根据IPC-TM-650方法2.4.8.5使用1/8寸试验标本于60℃浸渍于4N HCl中历时6小时后测量时，显示小于或等于约7%损失之剥离强度。根据申请专利范围第5项之物件，其中于层压于该介电基板之前，矽烷系沉积于该剥离强度增强涂层之上。 |
