| 主权项 |
一种在包括锗之半导体层中形成浅沟隔离区之方法，该方法包括下列步骤：提供硬遮罩层于该半导体层之上方；提供光阻层于该硬遮罩层之上方；选择性地去除在光微影制程中之数个位置之该光阻层之部份；去除在该等位置之该硬遮罩层；在该等位置下方之该半导体层中形成沟槽；在低于约600℃之温度在该等沟槽中提供与该半导体层接触之保角(conformal)半导体层；以及转换该保角半导体层为在该等沟槽中之氧化物衬里，该氧化物衬里系与该半导体层接触。如申请专利范围第1项之方法，复包括：在提供硬遮罩层之该步骤之前，提供垫氧化物层于包含于该半导体层中之应变矽层之上方。如申请专利范围第1项之方法，复包括：提供绝缘材料于该等沟槽中，以形成该等浅沟隔离区；以及剥除该硬遮罩层。一种在包括锗之基板中制造具有沟槽隔离区之积体电路之方法，该方法包括下列步骤：形成遮罩层于该基板之上方；选择性地蚀刻该遮罩层以形成与该等沟槽隔离区之位置相关联之孔；在该基板中之该等位置形成沟槽；在低于约600℃之低温制程中于该等沟槽内提供与该基板接触之半导体或金属层；以及用该基板之该等沟槽中之该半导体或金属层形成与该基板接触之氧化物衬里。如申请专利范围第4项之方法，其中该半导体或金属层包括非结晶半导体材料。一种在含锗层中之沟槽中形成衬里之方法，该方法包括下列步骤：选择性地蚀刻该含锗层以形成该沟槽；在低于约600℃之低温制程中于该沟槽中提供与该含锗层接触之半导体层；以及由该半导体层形成氧化物衬里，该氧化物衬里系与该含锗层接触。如申请专利范围第4或6项之方法，其中，该低温制程为在低于600℃之温度所进行之沉积制程。如申请专利范围第7项之方法，其中，该低温制程为有关非结晶矽之化学气相沉积制程。如申请专利范围第1或4项之方法，复包括在该等沟槽中提供绝缘材料，以形成该等沟槽隔离区。如申请专利范围第1、4及6项中之任一项之方法，其中，该等氧化物衬里系于氧化制程中形成。 |
