| 主权项 |
一种离子布植系统，包括：一第一剂量积分器，该第一剂量积分器包括：一第一输入，用以接受一第一电流，该第一电流系自布植于一晶圆上之离子所带的电荷产生；以及一第一输出，用以输出一第一累积剂量值；一第二剂量积分器，该第二剂量积分器包括：一第二输入，用以接受一第二电流，该第二电流系自布植于该晶圆上之离子所带的电荷产生；以及一第二输出，用以输出一第二累积剂量值；以及一分流器，以产生该第一电流及该第二电流，该第一电流及该第二电流系来自布植于该晶圆上之离子所带的电荷。如申请专利范围第1项所述之离子布植系统，其中更包括：一处理器，该处理器比较该第一累积剂量值及该第二累积剂量值以检查该第一及第二剂量积分器至少其中之一发生偏移。如申请专利范围第1项所述之离子布植系统，其中该该第一电流及该第二电流大致上相等。如申请专利范围第1项所述之离子布植系统，其中更包括一第三剂量积分器，该第三剂量积分器包括：一第三输入，用以接受一第三电流，该第三电流系自布植于该晶圆上之离子所带的电荷产生；以及一第三输出，用以输出一第三累积剂量值，其中该第一、第二及第三累积剂量值系用以侦测该第一、第二及第三剂量积分器其中之一的偏移。一种离子布植系统，包括：一离子布植机；一分流器，具有一电流输入、一第一分流电流输出及一第二分流电流输出；一第一剂量积分器，耦合至该第一分流电流输出，且该第一剂量积分器具有一第一累积剂量输出；一第二剂量积分器，耦合至该第二分流电流输出，且该第二剂量积分器具有一第二累积剂量输出；以及一处理器，耦合至该第一累积剂量输出及该第二累积剂量输出。如申请专利范围第5项所述之离子布植系统，其中该第一分流电流输出及该第二分流电流输出大致上相等。如申请专利范围第6项所述之离子布植系统，其中该第一分流电流输出及该第二分流电流输出之间具有一差距，且该差距小于约百分之一的第一分流电流输出及该第二分流电流输出之总和。如申请专利范围第5项所述之离子布植系统，其中该第一分流电流输出及该第二分流电流输出大致上不相等。如申请专利范围第5项所述之离子布植系统，其中更包括：一第三剂量积分器，耦合至一第三分流电流输出，且该第三剂量积分器具有一第三累积剂量输出，其中该处理器比较该第一、第二及第三累积剂量输出以检查该第一第二及第三剂量积分器之一发生偏移。如申请专利范围第5项所述之离子布植系统，其中该处理器信号连接至该离子布植机，并且当侦测出偏移，则该处理器即使离子布植机停止。一种半导体装置的制造方法，包括：连接一分流器至一电流路径，该电流路径连接至一离子布植机中的一晶圆；布植离子至该晶圆；传导一产生自离子的晶圆电流至该分流器，其中该分流器自该晶圆电流产生一第一电流及一第二电流；输入该第一电流至一第一剂量积分器，其中该第一剂量积分器输出一第二累积剂量输出；输入该第二电流至一第二剂量积分器，其中该第二剂量积分器输出一第二累积剂量输出；以及比较该第一累积剂量输出及该第二累积剂量输出以检查该第一及第二剂量积分器之一发生的偏移。如申请专利范围第11项所述之半导体装置的制造方法，其中更包括当偏移发生时，停止布植离子至该晶圆之步骤。如申请专利范围第11项所述之半导体装置的制造方法，其中当该第一累积剂量输出及该第二累积剂量输出之间的一相对差距大于约百分之一的该第一及第二累积剂量输出的总和时，即发现偏移。如申请专利范围第11项所述之半导体装置的制造方法，其中该分流器使该晶圆电流分成该第一电流及该第二电流。如申请专利范围第11项所述之半导体装置的制造方法，其中该第一电流及该第二电流大致上相等。如申请专利范围第11项所述之半导体装置的制造方法，其中该第一电流及该第二电流大致上不相等。如申请专利范围第11项所述之半导体装置的制造方法，更包括实施一校正制程以校正该第一及第二累积剂量输出。 |
