| 主权项 |
一种画素阵列基板的制作方法，包括：在一基板上形成依序堆叠的一第一图案化金属层、一绝缘层、一图案化半导体层、一第二图案化金属层与一保护层，其中该第一图案化金属层、该绝缘层、该半导体层与该第二图案化金属层至少构成多条扫瞄线、多条资料线与多个主动元件，该些扫瞄线与该些资料线定义出多个画素区，该保护层全面覆盖该第二图案化金属层；在该保护层上形成一第一图案化光阻层；移除该保护层未被该第一图案化光阻层覆盖的部分，以形成多个接触窗开口而暴露该些主动元件之源极/汲极的部分区域；在该第一图案化光阻层上形成一图案化反射层，其中该图案化反射层覆盖各该画素区之部分区域，并接触该些接触窗开口所暴露之该些主动元件；以及在该基板上形成一图案化透明导体层，其中该图案化透明导体层覆盖该些画素区与该图案化反射层。如申请专利范围第1项所述之画素阵列基板的制作方法，其中形成该第一图案化金属层、该绝缘层、该图案化半导体层、该第二图案化金属层与该保护层的步骤包括：在该基板上形成该第一图案化金属层；在该第一图案化金属层上依序全面形成该绝缘层、一半导体层与一第二金属层；在该第二金属层上形成一第二图案化光阻层，其中该第二图案化光阻层具有多个薄化区，该些薄化区对应该些主动元件之通道区；移除该半导体层与该第二金属层未被该第二图案化光阻层覆盖的部分；移除该第二图案化光阻层之该些薄化区，以暴露该第二金属层对应该些主动元件之通道区的部分；移除该第二金属层对应该些主动元件之通道区的部分，以形成该图案化半导体层与该第二图案化金属层；移除该第二图案化光阻层；以及在该基板上全面形成该保护层。如申请专利范围第2项所述之画素阵列基板的制作方法，其中该第二图案化光阻层是使用一半色调光罩或一狭缝光罩所形成。如申请专利范围第2项所述之画素阵列基板的制作方法，其中移除该些薄化区的方法包括全面减少该第二图案化光阻层之厚度，直到该些薄化区被移除。如申请专利范围第4项所述之画素阵列基板的制作方法，其中减少该第二图案化光阻层之厚度的方法包括进行一光阻烧退制程。如申请专利范围第2项所述之画素阵列基板的制作方法，其中在形成该半导体层之后与形成该第二金属层之前，更包括全面形成一欧姆接触层。如申请专利范围第6项所述之画素阵列基板的制作方法，其中在移除该第二金属层对应该些主动元件之通道区的部分时，更包括移除该欧姆接触层对应该些主动元件之通道区的部分。如申请专利范围第1项所述之画素阵列基板的制作方法，其中该第一图案化光阻层是使用一半色调光罩或一狭缝光罩所形成，以使该第一图案化光阻层在后续步骤中被该图案化反射层覆盖的部分具有皱摺状表面。如申请专利范围第1项所述之画素阵列基板的制作方法，其中各该画素区具有一反射区与一穿透区，该图案化反射层覆盖该些画素区之该些反射区，而该第一图案化光阻层未覆盖该些画素区之该些穿透区。如申请专利范围第1项所述之画素阵列基板的制作方法，其中形成该些接触窗开口的方法包括以该第一图案化光阻层为罩幕而蚀刻该保护层。如申请专利范围第1项所述之画素阵列基板的制作方法，其中形成该些接触窗开口的方法包括对该保护层进行微影与蚀刻制程。一种画素阵列基板，具有至少一讯号转层结构，其中该讯号转层结构包括：一第一图案化金属层；一第一绝缘层，配置于该第一图案化金属层上，且具有暴露该第一图案化金属层之部分区域的至少一第一接触窗开口；一第二图案化金属层，配置于该第一绝缘层上；一第二绝缘层，配置于该第二图案化金属层上，且具有暴露该第二图案化金属层之部分区域的至少一第二接触窗开口；一第三图案化金属层，配置于该第一接触窗开口与该第二接触窗开口，并直接接触该第一图案化金属层与该第二图案化金属层；以及一图案化导体层，配置于该第三图案化金属层上，并直接接触该第三图案化金属层，以使该第一图案化金属层与该第二图案化金属层互相电性连接。如申请专利范围第12项所述之画素阵列基板，其中该第一图案化金属层之材料包括铝、铝钕合金、铝锗钆合金、钼、氮化钼、钛、金与铜至少其中之一。如申请专利范围第12项所述之画素阵列基板，其中该第二图案化金属层之材料包括铝、铝钕合金、铝锗钆合金、钼、氮化钼、钛、金与铜至少其中之一。如申请专利范围第12项所述之画素阵列基板，其中该第一绝缘层之材料包括氮化矽。如申请专利范围第12项所述之画素阵列基板，其中该第三图案化金属层分为多个互相分离的区块。如申请专利范围第12项所述之画素阵列基板，其中该第三图案化金属层为一完整的区块。如申请专利范围第12项所述之画素阵列基板，其中该图案化导体层之材料为铟锡氧化物与铟锌氧化物至少其中之一。一种画素阵列基板，具有至少一讯号转层结构，其中该讯号转层结构包括：一第一图案化金属层；一第一绝缘层，配置于该第一图案化金属层上，且具有暴露该第一图案化金属层之部分区域的至少一第一接触窗开口；一第二图案化金属层，配置于该第一绝缘层上；一第二绝缘层，配置于该第二图案化金属层上，且具有暴露该第二图案化金属层之部分区域的至少一第二接触窗开口；以及一第三图案化金属层，配置于该第一接触窗开口与该第二接触窗开口，并直接接触该第一图案化金属层与该第二图案化金属层，该第三图案化金属层为一完整的区块，以使该第一图案化金属层与该第二图案化金属层互相电性连接。如申请专利范围第19项所述之画素阵列基板，其中该第一图案化金属层之材料包括铝、铝钕合金、铝锗钆合金、钼、氮化钼、钛、金与铜至少其中之一。如申请专利范围第19项所述之画素阵列基板，其中该第二图案化金属层之材料包括铝、铝钕合金、铝锗钆合金、钼、氮化钼、钛、金与铜至少其中之一。如申请专利范围第19项所述之画素阵列基板，其中该第一绝缘层之材料包括氮化矽。一种液晶显示装置，包括：一画素阵列基板，具有至少一讯号转层结构，其中该讯号转层结构包括：一第一图案化金属层；一第一绝缘层，配置于该第一图案化金属层上，且具有暴露该第一图案化金属层之部分区域的至少一第一接触窗开口；一第二图案化金属层，配置于该第一绝缘层上；一第二绝缘层，配置于该第二图案化金属层上，且具有暴露该第二图案化金属层之部分区域的至少一第二接触窗开口；一第三图案化金属层，配置于该第一接触窗开口与该第二接触窗开口，并直接接触该第一图案化金属层与该第二图案化金属层；一图案化导体层，配置于该第三图案化金属层上，并直接接触该第三图案化金属层，以使该第一图案化金属层与该第二图案化金属层互相电性连接；一对向基板；以及一液晶层，配置于该画素阵列基板与该对向基板之间。如申请专利范围第23项所述之液晶显示装置，其中该第一图案化金属层之材料包括铝、铝钕合金、铝锗钆合金、钼、氮化钼、钛、金与铜至少其中之一。如申请专利范围第23项所述之液晶显示装置，其中该第二图案化金属层之材料包括铝、铝钕合金、铝锗钆合金、钼、氮化钼、钛、金与铜至少其中之一。如申请专利范围第23项所述之液晶显示装置，其中该第一绝缘层之材料包括氮化矽。如申请专利范围第23项所述之液晶显示装置，其中该第三图案化金属层分为多个互相分离的区块。如申请专利范围第23项所述之液晶显示装置，其中该第三图案化金属层为一完整的区块。如申请专利范围第23项所述之液晶显示装置，其中该图案化导体层之材料为铟锡氧化物与铟锌氧化物至少其中之一。如申请专利范围第23项所述之液晶显示装置，更包括一背光模组，其中该画素阵列基板、该对向基板与该液晶层配置于该背光模组上方。一种液晶显示装置，包括：一画素阵列基板，具有至少一讯号转层结构，其中该讯号转层结构包括：一第一图案化金属层；一第一绝缘层，配置于该第一图案化金属层上，且具有暴露该第一图案化金属层之部分区域的至少一第一接触窗开口；一第二图案化金属层，配置于该第一绝缘层上；一第二绝缘层，配置于该第二图案化金属层上，且具有暴露该第二图案化金属层之部分区域的至少一第二接触窗开口；一第三图案化金属层，配置于该第一接触窗开口与该第二接触窗开口，并直接接触该第一图案化金属层与该第二图案化金属层，该第三图案化金属层为一完整的区块，以使该第一图案化金属层与该第二图案化金属层互相电性连接；一对向基板；以及一液晶层，配置于该画素阵列基板与该对向基板之间。如申请专利范围第31项所述之液晶显示装置，其中该第一图案化金属层之材料包括铝、铝钕合金、铝锗钆合金、钼、氮化钼、钛、金与铜至少其中之一。如申请专利范围第31项所述之液晶显示装置，其中该第二图案化金属层之材料包括铝、铝钕合金、铝锗钆合金、钼、氮化钼、钛、金与铜至少其中之一。如申请专利范围第31项所述之液晶显示装置，其中该第一绝缘层之材料包括氮化矽。如申请专利范围第31项所述之液晶显示装置，更包括一背光模组，其中该画素阵列基板、该对向基板与该液晶层配置于该背光模组上方。 |
