| 主权项 |
一种后侧光照影像感测装置，包括：一基底；一第一掺杂区，位于该基底内；以及一第二掺杂区，位于该基底内并位于该第一掺杂区上方，其中该第一掺杂区深达该基板之厚度的50%以上，且该第一与第二掺杂区具有第一导电型态。如申请专利范围第1项所述之后侧光照影像感测装置，其中该第二掺杂区系直接设置于该第一掺杂区上。如申请专利范围第1项所述之后侧光照影像感测装置，其中该第二掺杂区系相邻于该第一掺杂区。如申请专利范围第1项所述之后侧光照影像感测装置，其中该第一与第二掺杂区系大于该基板深度之厚度的50%。如申请专利范围第1项所述之后侧光照影像感测装置，其中该基板之后侧表面与该第一与第二掺杂区间之间距少于该基板厚度之50%。一种后侧光照影像感测装置之制造方法，包括下列步骤：提供一基底；对该基底施行一第一离子布植，以于该基底内形成一第一掺杂区；形成一多晶矽层于该基底上；以及对该基底施行一第二离子布植，以形成一第二掺杂区于该第一掺杂区上方处，其中该第一掺杂区深达该基板之厚度之50%，且该第一与第二掺杂区具有第一导电型态。如申请专利范围第6项所述之后侧光照影像感测装置之制造方法，其中该第一离子布植为一非自对准高能量离子布植。如申请专利范围第6项所述之后侧光照影像感测装置之制造方法，其中该第二离子布植为一自对准高能量离子布植。如申请专利范围第6项所述之后侧光照影像感测装置之制造方法，其中对该基底施行该第一离子布植以形成一第一离子掺杂区包括下列步骤：于高能量下对该基底布植离子，以形成深度大于该基底厚度之50%以上之一第一离子掺杂区。如申请专利范围第6项所述之后侧光照影像感测装置之制造方法，其中对该基底施行该第二离子布植以形成位于该第一离子掺杂区上之该第二离子掺杂区包括下列步骤：形成一罩幕层于该多晶矽层上；以及于高能量下对该基底布植离子，以形成相邻于该第一掺杂区之该第二掺杂区。如申请专利范围第6项所述之后侧光照影像感测装置之制造方法，其中该第一与第二掺杂区之结合厚度大于该基板厚度之50%。如申请专利范围第6项所述之后侧光照影像感测装置之制造方法，其中该基底之厚度大于1.5微米。如申请专利范围第6项所述之后侧光照影像感测装置之制造方法，其中该基板之后侧表面与该第一与第二掺杂区间之间距少于该基底之厚度的50%。如申请专利范围第10项所述之后侧光照影像感测装置之制造方法，其中该第二掺杂区与该多晶矽层间之重叠情形系为形成于该多晶矽层上之该罩幕层所控制。如申请专利范围第6项所述之后侧光照影像感测装置之制造方法，其中对该基底施行该第一离子布植以形成第一掺杂区包括下列步骤：于介于100~5000KeV之能量下对该基底布植离子，以形成该第一掺杂区。如申请专利范围第6项所述之后侧光照影像感测装置之制造方法，其中对该基底施行该第二离子布植以形成第二掺杂区包括下列步骤：于介于5~1000KeV之能量下于该基板布植离子，以形成该第二掺杂区。如申请专利范围第6项所述之后侧光照影像感测装置之制造方法，其中当产生于该基底背面之电子通过该基底表面而抵达一画素时，该第一与第二掺杂区系作为一加大感光区。。 |
