| 主权项 |
一种绝缘闸极型半导体装置，系具备：一导电型半导体基板；于该一导电型半导体基板之一主面以条状设置之闸极电极；沿着前述闸极电极而在前述一主面以条状设置之逆导电型通道区域；设在前述闸极电极与前述通道区域间之第1绝缘膜；沿着前述闸极电极而在前述一主面之前述通道区域以条状设置之一导电型源极区域；以与前述通道区域相重叠之方式设置之闸极垫电极；至少覆盖该闸极垫电极下方之前述闸极电极及前述通道区域之第2绝缘膜；设在该第2绝缘膜之接触孔；以及设在一部分之前述第2绝缘膜上，且透过前述接触孔而与前述源极区域及前述通道区域相接触之源极电极。如申请专利范围第1项之绝缘闸极型半导体装置，其中，在前述闸极垫电极下方之前述通道区域并未配置前述源极区域。如申请专利范围第1项之绝缘闸极型半导体装置，其中，具有：设在前述一导电型半导体基板周围且与前述闸极电极及前述闸极垫电极相连接之闸极拉出电极；以及设在前述闸极拉出电极下方之前述基板表面且与前述通道区域相连接之高浓度逆导电型区域。如申请专利范围第1项之绝缘闸极型半导体装置，其中，配置在前述闸极垫电极下方的前述通道区域系与与前述闸极垫电极相邻接设置之前述源极电极电性连接。如申请专利范围第1项之绝缘闸极型半导体装置，其中，于前述一导电型半导体基板的表面具有以条状设置的沟渠，前述闸极电极系埋设在前述沟渠。如申请专利范围第3项之绝缘闸极型半导体装置，其中，在前述闸极垫电极下方配置前述闸极拉出电极及前述闸极电极的一部分。一种绝缘闸极型半导体装置，系具备：一导电型半导体基板；于该一导电型半导体基板之一主面以条状设置之闸极电极；沿着前述闸极电极而在前述一主面以条状设置之逆导电型通道区域；设在前述闸极电极与前述通道区域间之第1绝缘膜；沿着前述闸极电极而在前述一主面之前述通道区域以条状设置之一导电型源极区域；设在前述闸极电极上之第2绝缘膜；设在前述一导电型半导体基板周围且与前述闸极电极及闸极垫电极相连接的闸极拉出电极；以及设在前述闸极拉出电极下方之前述基板表面且与前述通道区域相连接之高浓度一导电型区域，在前述闸极垫电极下方隔着前述第2绝缘膜配置一部分之前述通道区域、前述闸极电极及前述闸极拉出电极。一种绝缘闸极型半导体装置，系具备：半导体基板；形成在前述基板上，在第1方向配向而成，且包含通道区域与闸极电极之复数个长形的电晶体构造；与前述闸极电极相连接，将前述长形的电晶体构造的第1部分加以覆盖的闸极垫电极；以及将前述长形的电晶体构造的第2部分加以覆盖的源极电极，在前述源极电极下方的通道区域形成有源极区域，在前述闸极垫电极下方的通道区域并未形成源极区域。 |
