| 主权项 |
一种画素结构之制造方法，该画素结构包含一控制区域及一显示区域，该方法包含：形成一图案化第一导电层于一基板上，该图案化第一导电层包含一资料线及一闸极；形成一第一绝缘层于该基板上，以覆盖该图案化第一导电层；形成一图案化半导体层于该闸极上方的该第一绝缘层上；形成一图案化第二导电层，该图案化第二导电层包含一源极、一汲极及一闸极线，其中该源极与该汲极系分别位于该图案化半导体层上的部分区域，而该闸极、该图案化半导体层、该源极以及该汲极于该控制区域构成一薄膜电晶体结构；形成一画素电极，电性连结该汲极，并覆盖于该显示区域；形成一第二绝缘层；图案化该第二绝缘层及该第一绝缘层，以暴露部分该资料线、该源极、该闸极线及该闸极；以及形成一图案化第三导电层，包含一资料线连接电极、一闸极线连接电极以及一共通电极，其中该资料线连接电极电性连结该资料线与该源极，该闸极线连接电极电性连结该闸极线与该闸极，而该共通电极形成于该显示区域之该第二绝缘层上。如请求项1所述之方法，其中该形成该图案化第一导电层之步骤包含：沈积一第一导电层于该基板上；形成一第一图案化光阻层于该第一导电层上；进行一蚀刻制程，以形成该资料线及该闸极；以及去除该第一图案化光阻层。如请求项1所述之方法，其中该形成一图案化半导体层之步骤系藉由一第二图案化光阻层图案化一半导体层，以形成该图案化半导体层于该闸极上方的该第一绝缘层上。如请求项1所述之方法，其中该形成该图案化第二导电层之步骤包含：沈积一第二导电层；形成一第三图案化光阻层于该第二导电层上；进行一蚀刻制程，去除部分该第二导电层，以形成该源极与该汲极于该图案化半导体层的部分区域以及形成该闸极线于部分该闸极上方之该第一绝缘层上；以及去除该第三图案化光阻层。如请求项1所述之方法，其中该形成该画素电极之步骤包含：沈积一透明电极层；形成一第四图案化光阻层于该透明电极层上；进行一蚀刻制程，以形成该画素电极于该显示区域之该第一绝缘层上以及部分该汲极上；以及去除该第四图案化光阻层。如请求项1所述之方法，其中该图案化该第二绝缘层及该第一绝缘层之步骤包含：形成一第五图案化光阻层于该第二绝缘层上；进行一蚀刻制程，去除部分该第二绝缘层及第一绝缘层，以形成一第一接触窗暴露出该资料线、形成一第二接触窗暴露出该源极、形成一第三接触窗暴露出该闸极线、及形成一第四接触窗暴露出该闸极；以及去除该第五图案化光阻层。如请求项6所述之方法，其中该形成该图案化第三导电层之步骤，包含以下步骤：沈积一第三导电层；形成一第六图案化光阻层于该第三导电层上；进行一蚀刻制程，以形成该资料线连接电极、该闸极线连接电极及该共通电极，其中该资料线连接电极经由该第一接触窗与第二接触窗连接该资料线与该源极，该闸极线连接电极经由该第三接触窗与第四接触窗连接该闸极线与该闸极，以及该共通电极形成于该第二绝缘层上与该画素电极电性绝缘且该共通电极具有复数个狭缝；以及去除该第六图案化光阻层。如请求项1所述之方法，其中该第三导电层系为一透明导电层。一种画素结构之制造方法，该画素结构包含一控制区域及一显示区域，该方法包含：形成一图案化第一导电层于一基板上，该图案化第一导电层包含一资料线及一闸极；形成一第一绝缘层于该基板上，以覆盖该图案化第一导电层；形成一图案化半导体层于该闸极上方的该第一绝缘层上；形成一图案化第二导电层，该图案化第二导电层包含一源极、一汲极及一闸极线，其中该源极与该汲极系分别位于该图案化半导体层上的部分区域，而该闸极、该图案化半导体层、该源极以及该汲极于该控制区域构成一薄膜电晶体结构；形成一共通电极，覆盖于该显示区域；形成一第二绝缘层；图案化该第二绝缘层及该第一绝缘层，以暴露部分该资料线、该源极、该汲极、该闸极线及该闸极；以及形成一图案化第三导电层，包含一资料线连接电极、一闸极线连接电极及一画素电极，其中该资料线连接电极电性连结该资料线与该源极，该闸极线连接电极电性连结该闸极线与该闸极，而该画素电极形成于该显示区域之该第二绝缘层上且电性连接该汲极。如请求项9所述之方法，其中该形成该图案化第一导电层之步骤包含：沈积一第一导电层于该基板上；形成一第一图案化光阻层于该第一导电层上；进行一蚀刻制程，以形成该资料线及该闸极；以及去除该第一图案化光阻层。如请求项9所述之方法，其中该形成一图案化半导体层之步骤系藉由一第二图案化光阻层图案化一半导体层，以形成该图案化半导体层于该闸极上方的该第一绝缘层上。如请求项9所述之方法，其中该形成该图案化第二导电层之步骤包含：沈积一第二导电层；形成一第三图案化光阻层于该第二导电层上；进行一蚀刻制程，去除部分该第二导电层，以形成该源极与该汲极于该图案化半导体层的部分区域以及形成该闸极线于部分该闸极上方之该第一绝缘层上；以及去除该第三图案化光阻层。如请求项9所述之方法，其中该形成该共通电极之步骤包含：沈积一透明电极层；形成一第四图案化光阻层于该透明电极层上；进行一蚀刻制程，以形成该共通电极于该第一绝缘层上；以及去除该第四图案化光阻层。如请求项9所述之方法，其中该图案化该第二绝缘层及该第一绝缘层之步骤包含：形成一第五图案化光阻层于该第二绝缘层上；进行一蚀刻制程，去除部分该第二绝缘层及第一绝缘层，以形成一第一接触窗暴露出该资料线、形成一第二接触窗暴露出该源极、形成一第三接触窗暴露出该闸极线、形成一第四接触窗暴露出该闸极、及形成一第五接触窗暴露出该汲极；以及去除该第五图案化光阻层。如请求项14所述之方法，其中该形成该图案化第三导电层之步骤包含：沈积一第三导电层；形成一第六图案化光阻层于该第三导电层上；进行一蚀刻制程，以形成该资料线连接电极、该闸极线连接电极及该画素电极，其中该资料线连接电极经由该第一接触窗与第二接触窗连接该资料线与该源极，该闸极线连接电极经由该第三接触窗与第四接触窗连接该闸极线与该闸极，以及该画素电极经由该第五接触窗电性连接于该汲极且该画素电极具有复数个狭缝；以及去除该第六图案化光阻层。如请求项9所述之方法，其中该第三导电层系为一透明导电层。一种画素结构，包含：一闸极线；一资料线，与该闸极线定义出一画素区域，该画素区域包含一控制区域及一显示区域；一薄膜电晶体结构，形成于该控制区域上，其中该薄膜电晶体结构包含一闸极、一源极及一汲极；一资料线连接电极，电性连接该源极与该资料线；一闸极线连接电极，电性连接该闸极与该闸极线；以及一显示结构，形成于该显示区域上，该显示结构包含彼此部分重叠且绝缘之一共通电极及一画素电极，其中该画素电极系与该汲极电性连接。如请求项17所述之画素结构，更包含一绝缘层，形成于该共通电极及该画素电极之间。如请求项18所述之画素结构，其中该共通电极系形成于该绝缘层上，且具有复数个狭缝。如请求项19所述之画素结构，其中该共通电极、该资料线连接电极及该闸极线连接电极系于同一制程中同时形成。如请求项18所述之画素结构，其中该画素电极系形成于该绝缘层上，且具有复数个狭缝。如请求项21所述之画素结构，其中该画素电极、该资料线连接电极及该闸极线连接电极系于同一制程中同时形成。如请求项17所述之画素结构，其中该薄膜电晶体结构更包含一半导体层，对应形成于该闸极上方，且与该源极及该汲极分别连接。 |
