| 主权项 |
一种具多层反射层之发光二极体，该发光二极体至少设有一基板，该基板之上表面设有复数突出表面并间隔配置之锥体，而该锥体表面并设有多层反射层，该多层反射层系设有至少一组反射率相异之上、下反射层。如请求项1所述具多层反射层之发光二极体，其中，该上反射层之反射率系低于下反射层之反射率。如请求项1或2所述具多层反射层之发光二极体，其中，该基板可以为蓝宝石基板。如请求项3所述具多层反射层之发光二极体，其中，该上反射层可以为二氧化矽(SiO2)，该下反射层可以为氮化矽(Si3N4)。如请求项3所述具多层反射层之发光二极体，其中，该上反射层可以为二氧化矽(SiO2)，该下反射层可以为二氧化钛(TiO2)。如请求项1或2所述具多层反射层之发光二极体，其中，该上反射层可以为二氧化矽(SiO2)，该下反射层可以为氮化矽(Si3N4)。如请求项1或2所述具多层反射层之发光二极体，其中，该上反射层可以为二氧化矽(SiO2)，该下反射层可以为二氧化钛(TiO2)。如请求项1或2所述具多层反射层之发光二极体，其中，该锥体可以为角锥状结构体。如请求项8所述具多层反射层之发光二极体，其中，该锥体顶部之夹角可为45~65度。如请求项1或2所述具多层反射层之发光二极体，其中，该锥体可以为弧锥状结构体。如请求项10所述具多层反射层之发光二极体，其中，该锥体顶部之夹角可为45~65度。如请求项1或2所述具多层反射层之发光二极体，其中，该锥体之顶部系形成平面。如请求项1或2所述具多层反射层之发光二极体，其中，该发光二极体至少包含有：第一半导体层，系设于该基板上，并覆盖各多层反射层；发光层，系设于部分之该第一半导体层上；第二半导体层，系设于该发光层上；第一电极，系设于未覆盖有发光层之第一半导体层上；第二电极，系设于该第二半导体层上。如请求项13所述具多层反射层之发光二极体，其中，该第一半导体层是一n型半导体层，该第二半导体层是一p型半导体层。如请求项13所述具多层反射层之发光二极体，其中，该第一半导体层是一p型半导体层，该第二半导体层是一n型半导体层。如请求项1或2所述具多层反射层之发光二极体，其中，该发光二极体至少包含有：第一半导体层，系设于该基板上，并覆盖各多层反射层；发光层，系设于该第一半导体层上；第二半导体层，系设于该发光层上；第一电极，系设于该第二半导体层上；第二电极，系设于该基板另一面。如请求项16所述具多层反射层之发光二极体，其中，该第一半导体层是一n型半导体层，该第二半导体层是一p型半导体层。如请求项16所述具多层反射层之发光二极体，其中，该第一半导体层是一p型半导体层，该第二半导体层是一n型半导体层。 |
