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一种量子点附着于奈米碳管表面之结构，包括：一量子点；一奈米碳管；一连结分子，其与该量子点连结，且与该奈米碳管表面之间形成π-π非化学键结。如申请专利范围第1项所述之量子点附着于奈米碳管表面之结构，其中该连接分子之化学结构为：@sIMGTIF!d10001.TIF@eIMG!其中R为@sIMGCHAR!d10009.TIF@eIMG!或@sIMGCHAR!d10010.TIF@eIMG!，n=0~20，pyrenyl group与该奈米碳管表面产生π-π非化学键结，且各thiol group与该量子点之间形成sulfide bond之共价键。如申请专利范围第1项所述之量子点附着于奈米碳管表面之结构，其中该连结分子含pyrenyl group及thiol group，pyrenyl group与奈米碳管表面产生π-π非化学键结，且thiol group与量子点表面产生sulfide bond之共价键。如申请专利范围第1项所述之量子点附着于奈米碳管表面之结构，其中该连结分子含pyrenyl group及双thiol group，pyrenyl group与奈米碳管表面产生π-π非化学键结，且双thiol group与量子点表面产生sulfide bond之共价键。如申请专利范围第1项所述之量子点附着于奈米碳管表面之结构，其中该量子点为过渡金属硫属化合物。如申请专利范围第1项所述之量子点附着于奈米碳管表面之结构，其中该量子点为半导体性，如CdSe/ZnS。如申请专利范围第1项所述之量子点附着于奈米碳管表面之结构，其中该量子点之颗粒半径为1至20 nm。如申请专利范围第5项所述之量子点附着于奈米碳管表面之结构，其中该过渡金属硫属化合物为cadmium selenide、cadmium sulfide、cadmium telluride、zinc selenide或zinc sulfide。 |
