| 主权项 |
一种电子元件的晶片级封装，包括：一基板结构做为该晶片级封装的承载结构，包括一第一切割断面及一第二切割断面；一半导体晶粒具一晶粒电路黏着于该基板结构上；一封胶层于该基板结构上，将该半导体晶粒封住；一电性连接自该晶粒电路延伸至该晶片级封装于该封胶层上的复数个接触终端，且该电性连接的部分表面裸露于该第一切割断面；以及一绝缘结构仅设置于该第一切割断面上以保护该裸露出的电性连接部分且该绝缘结构之表面与该第二切割断面之表面共平面。如申请专利范围第1项所述之电子元件的晶片级封装，其中该基板结构为透明，包括镜片级玻璃或石英。如申请专利范围第1项所述之电子元件的晶片级封装，其中该半导体晶粒包括一积体电路元件、一光电元件、一微机电(micro-electromechanical)元件或一表面声波(SAW)元件。如申请专利范围第1项所述之电子元件的晶片级封装，其中该半导体晶粒包括一互补式金属氧化物半导体(CMOS)影像感测装置。如申请专利范围第1项所述之电子元件的晶片级封装，其中该半导体晶粒包括复数个晶粒接触连接该电性连接。如申请专利范围第1项所述之电子元件的晶片级封装，其中该电性连接包括一水平部分连接该晶粒接触以及一倾斜部分连接该晶片级封装的该复数个接触终端。如申请专利范围第1项所述之电子元件的晶片级封装，其中该绝缘结构包括环氧树脂、聚亚醯胺、树脂、氧化矽、金属氧化物或氮化矽。如申请专利范围第1项所述之电子元件的晶片级封装，更包括一断差位于该该第一切割断面与该第二切割断面之间。一种CMOS影像感测器的晶片级封装，包括：一透明基板结构做为该晶片级封装的承载结构，包括一第一切割断面及一第二切割断面；一CMOS影像感测器晶粒具一晶粒电路黏着于该透明基板结构上；一封胶层于该基板结构上，将该CMOS影像感测器晶粒封住；一电性连接自该晶粒电路延伸至该晶片级封装于该封胶层上的复数个接触终端，且该电性连接的部分表面裸露于该第一切割断面；以及一绝缘结构仅设置于该第一切割断面上以保护该裸露出的电性连接部分且该绝缘结构之表面与该第二切割断面之表面共平面。如申请专利范围第9项所述之CMOS影像感测器的晶片级封装，其中该透明基板结构包括镜片级玻璃或石英。如申请专利范围第9项所述之CMOS影像感测器的晶片级封装，其中该CMOS影像感测器晶粒包括复数个晶粒接触连接该电性连接。如申请专利范围第11项所述之CMOS影像感测器的晶片级封装，其中该电性连接包括一水平部分连接该晶粒接触以及一倾斜部分连接该晶片级封装的该复数个接触终端。如申请专利范围第9项所述之CMOS影像感测器的晶片级封装，其中该绝缘结构包括环氧树脂、聚亚醯胺、树脂、氧化矽、金属氧化物或氮化矽。如申请专利范围第9项所述之CMOS影像感测器的晶片级封装，更包括一断差位于该该第一切割断面与该第二切割断面之间。一种CMOS影像感测器的晶片级封装的制造方法，包括：提供一透明基板结构具有两邻近的CMOS影像感测器镶于其上，一封胶层于该基板结构上，将该CMOS影像感测器晶粒封住，其中一电性连接自该晶粒电路延伸至该晶片级封装于该封胶层上的复数个接触终端；切割该透明基板结构深入一预定深度，以形成一沟槽，并将两CMOS影像感测器对应的该电性连接断离并露出该电性连接的表面；填入一绝缘结构于该沟槽中，以保护该露出的电性连接表面；以及切割该透明基板结构以分离两对应的CMOS影像感测器，并于该透明基板结构形成一切割断面，其中切割后该绝缘结构之表面与该切割断面共平面。如申请专利范围第15项所述之CMOS影像感测器的晶片级封装的制造方法，其中该预定深度的范围约为100-150微米(μm)。如申请专利范围第15项所述之CMOS影像感测器的晶片级封装的制造方法，其中该切割该透明基板结构深入一预定深度的步骤包括以具有一第一宽度的晶粒切割锯切割。如申请专利范围第17项所述之CMOS影像感测器的晶片级封装的制造方法，其中该第一宽度的范围约为100-150微米(μm)。如申请专利范围第15项所述之CMOS影像感测器的晶片级封装的制造方法，其中该填入一绝缘结构于该沟槽中的步骤包括溅镀法、印刷法、涂布法或旋涂法(spin coating)。如申请专利范围第15项所述之CMOS影像感测器的晶片级封装的制造方法，其中该绝缘结构包括环氧树脂、聚亚醯胺、树脂、氧化矽、金属氧化物或氮化矽。如申请专利范围第15项所述之CMOS影像感测器的晶片级封装的制造方法，其中切割该透明基板结构以分离两对应的CMOS影像感测器的步骤包括以具有一第二宽度的晶粒切割锯切割。如申请专利范围第21项所述之CMOS影像感测器的晶片级封装的制造方法，其中该第二宽度的范围约小于100微米(μm)。 |
