| 主权项 |
一种发光二极体配置，包括：-至少一发光二极体晶片(1)，其具有一种辐射发出面(2)，发光二极体晶片(1)中所产生的电磁辐射(13)之大部份都在主发射方向中经由该辐射发出面(2)而发出，-一外壳(5)，其在侧面围绕该发光二极体晶片(1)，以及-一反射透镜(6)，其在主发射方向中配置在辐射发出面(2)之后，其中该发光二极体晶片(1)系在陶瓷冷却体(4)上，以其面对辐射发出面(2)之表面而设置。如申请专利范围第1项之发光二极体配置，其中该发光二极体晶片(1)是一种薄膜发光二极体晶片。如申请专利范围第1项之发光二极体配置，其中该发光二极体晶片(1)适合用来产生一种发光期间最大是200毫秒之闪光。如申请专利范围第1项之发光二极体配置，其中该发光二极体晶片(1)适合在至少5分钟之操作期间中发光。如申请专利范围第1项之发光二极体配置，其中该反射透镜(6)具有一种光入口(12)，发光二极体晶片(1)中所产生的电磁辐射(13)之大部份是经由该光入口(12)而射入且光入口(12)具有一种面积，其最多是发光二极体晶片(1)之辐射发出面(2)之二倍。如申请专利范围第1项之发光二极体配置，其中该反射透镜(6)适合用来使发光二极体晶片(1)所发出的电磁辐射(13)之发散性下降。.如申请专利范围第1项之发光二极体配置，其中该反射透镜(6)是一种非成像之透镜。如申请专利范围第1项之发光二极体配置，其中该反射透镜(6)是一种光学聚光器，光入口(12)是此聚光器之原来的光出口。如申请专利范围第1项之发光二极体配置，其中该反射透镜(6)至少一部份是依据以下之光学元件之至少一种之形式而形成：CPC,CEC,CHC,TIR。如申请专利范围第1项之发光二极体配置，其中该反射透镜(6)具有一光出口(14)，发光二极体晶片中所产生的电磁辐射(13)之大部份是经由此光出口(14)而由反射透镜(6)发出且一种覆盖体(7)在主辐射方向中配置在光出口(14)之后。如申请专利范围第10项之发光二极体配置，其中该覆盖体(7)包含一种光学元件(8)。如申请专利范围第11项之发光二极体配置，其中该光学元件(8)具有一种光发出面，其依据非球形透镜之形式而成拱形。如申请专利范围第11项之发光二极体配置，其中该光学元件(8)依据环形透镜之形式而形成。如申请专利范围第10项之发光二极体配置，其中该覆盖体(7)在发光二极体配置安装在系统外壳中时用作导引件及/或止动件。如申请专利范围第1至14项中任一项之发光二极体配置，其中在主发射方向中该发光二极体晶片(1)之后配置一种电致发光-转换材料，其使发光二极体晶片(1)所发出的电磁辐射的至少一部份的波长被转换。如申请专利范围第15项之发光二极体配置，其中电致发光-转换材料以层的形式施加在辐射发出面(2)上，层之厚度最大是50微米。如申请专利范围第15项之发光二极体配置，其中一种包含电致发光-转换材料之小板(11)配置在辐射发出面(2)之后，此小板(11)之厚度最大是200微米。如申请专利范围第15项之发光二极体配置，其中光学元件(8)包含电致发光-转换材料。如申请专利范围第1项之发光二极体配置，其中由发光二极体配置所发出的光锥之开口角度最大是35度。如申请专利范围第1项之发光二极体配置，其中该冷却体(4)具有穿孔。如申请专利范围第1或20项之发光二极体配置，其中该冷却体(4)之远离该发光二极体晶片(1)之表面包含各接触面。如申请专利范围第1项之发光二极体配置，其中该冷却体(4)以其远离该发光二极体晶片(1)之表面施加在载体(9)上。如申请专利范围第22项之发光二极体配置，其中在载体(9)上固定多个接触弹簧(10)，其包含以下之材料中的至少一种材料：CuFeP,CuBe。如申请专利范围第23项之发光二极体配置，其中接触弹簧(10)之至少一部份配置在冷却体(4)和载体(9)之间，且接触弹簧(10)以一种锐角围绕该载体(9)而弯曲。如申请专利范围第1项之发光二极体配置，其中该外壳(5)固定在冷却体(4)上。如申请专利范围第1项之发光二极体配置，其中此发光二极体配置的外部尺寸最大是4×4×4毫米。一种发光二极体，其系以申请专利范围第1至26项中任一项之发光二极体配置所装配而成，其可用于照相行动电话、数位相机以及摄影机等装置中。 |
