| 主权项 |
一种陶瓷封装发光二极体，包含：(1)第一层陶瓷基材，更包含：(a)第一面，具有第一金属区与第二金属区；(b)第二面，具有第三金属区与第四金属区，可供表面黏着用；(c)第一组导通金属，耦合前述之第一金属区至前述之第三金属区；以及(d)第二组导通金属，耦合前述之第二金属区与前述之第四金属区；(2)第二层陶瓷基材，叠合于前述之第一陶瓷基材上方，具有镂空区，该镂空区更包含：一组相对的反光壁及一组相对的开放区，前述之反光壁位于前述之镂空区之相对两侧，前述之开放区位于前述之镂空区之另相对两侧；以及(3)发光二极体，安置于前述之第一陶瓷基材上方，电性分别耦合至前述之第一金属区以及第二金属区；且安置于前述之相对的反光壁之间。如申请专利范围第1项所述之陶瓷封装发光二极体，其中所述之发光二极体之电性耦合至前述之第一金属区以及第二金属区，系指打线耦合(wire bonding)。如申请专利范围第1项所述之陶瓷封装发光二极体，其中所述之发光二极体之电性耦合至前述之第一金属区以及第二金属区，系指接触耦合(flip chip bonding)。如申请专利范围第1项所述之陶瓷封装发光二极体，其中所述之反光壁，系呈斜面状。如申请专利范围第1项所述之陶瓷封装发光二极体，更包含：透光材料安置于前述之相对的反光壁之间，用以封装保护前述之发光二极体以及电路。如申请专利范围第1项所述之陶瓷封装发光二极体，系呈多颗串联状者。如申请专利范围第1项所述之陶瓷封装发光二极体，系呈多颗并联状者。如申请专利范围第1项所述之陶瓷封装发光二极体，其中所述之导通金属，系指具有金属壁之通孔。如申请专利范围第1项所述之陶瓷封装发光二极体，其中所述之导通金属，系指填充金属之通孔。如申请专利范围第1项所述之陶瓷封装发光二极体，其中所述之第一组导通金属，系安置于前述之第一陶瓷基材之边缘。如申请专利范围第1项所述之陶瓷封装发光二极体，其中所述之第二组导通金属，系安置于前述之第一陶瓷基材之边缘。一种陶瓷封装发光二极体之制作方法，包含：(1)准备第一层陶瓷基材，包含：(a)第一面，制作第一金属区与第二金属区；(b)第二面，制作第三金属区与第四金属区，可供表面黏着用；(c)制作第一组导通金属，耦合前述之第一金属区至前述之第三金属区；以及(d)制作第二组导通金属，耦合前述之第二金属区与前述之第四金属区；(2)准备具有一组相对的反光壁及一组相对的开放区之第二层陶瓷基材，叠合于前述之第一陶瓷基材上方；以及(3)准备发光二极体，安置于前述之第一陶瓷基材上方，电性分别耦合至前述之第一金属区以及第二金属区；且安置于前述之相对的反光壁之间。如申请专利范围第12项所述之陶瓷封装发光二极体之制作方法，更包含透光胶体封装步骤，封装保护前述之发光二极体以及电路。如申请专利范围第12项所述之陶瓷封装发光二极体之制作方法，其中所述之导通金属，系指制作有金属层于通孔孔壁者。如申请专利范围第12项所述之陶瓷封装发光二极体之制作方法，其中所述之导通金属，系指将金属填充于通孔中者。如申请专利范围第12项或13项所述之陶瓷封装发光二极体之制作方法，更包含切割步骤于最后，将产品切割成为多颗串联状。如申请专利范围第12项或13项所述之陶瓷封装发光二极体之制作方法，更包含切割步骤于最后，将产品切割成为多颗并联状。如申请专利范围第16项所述之陶瓷封装发光二极体之制作方法，其中所述之切割，其切割线通过部份前述之第一导通金属。如申请专利范围第16项所述之陶瓷封装发光二极体之制作方法，其中所述之切割，其切割线通过部份前述之第二导通金属。如申请专利范围第17项所述之陶瓷封装发光二极体之制作方法，其中所述之切割，其切割线通过部份前述之第一导通金属。如申请专利范围第17项所述之陶瓷封装发光二极体之制作方法，其中所述之切割，其切割线通过部份前述之第二导通金属。 |
