| 主权项 |
一种矽结晶系统，包含：一雷射束产生器，其产生一雷射束；第一及第二光学单元，其用于控制雷射束产生器之雷射束；及一平台，其用于安装一面板，面板包括一非晶矽层，供由光学单元之雷射束予以多晶化，其中来自该第一光学单元之雷射束与来自该第二光学单元之雷射束具有不同形状。如申请专利范围第1项之矽结晶系统，其中第一光学单元使雷射束具有一横缘及一较长于横缘之纵缘，及第二光学单元使雷射束具有一横缘及一较短于横缘之纵缘。如申请专利范围第2项之矽结晶系统，其中来自第一及第二光学单元之雷射束具有长方形状。如申请专利范围第3项之矽结晶系统，其中面板包含一显示面板，其包括一显示区、一闸极驱动电路区、及一资料驱动电路区。如申请专利范围第4项之矽结晶系统，其中显示区及闸极驱动电路区系由第一光学单元所控制之雷射束照射，且资料驱动电路区系由第二光学单元所控制之雷射束照射。如申请专利范围第5项之矽结晶系统，其中显示区及闸极驱动电路区系透过一二次投射遮罩而照射，且资料驱动电路区系透过一多次投射遮罩而照射。如申请专利范围第6项之矽结晶系统，其中二次投射遮罩具有复数隙缝，用于界定出透射雷射束之区域及形成二列，且二列中之隙缝系错开。如申请专利范围第7项之矽结晶系统，其中二列中之隙缝系错开一等于隙缝宽度之距离。如申请专利范围第6项之矽结晶系统，其中多次投射遮罩具有复数隙缝，用于界定出透射雷射束之区域及形成三或多列，且诸列中之隙缝系错开。如申请专利范围第9项之矽结晶系统，其中相邻列中之隙缝系错开一等于或小于隙缝一半宽度之距离。如申请专利范围第1项之矽结晶系统，进一步包含一位置控制器，用于定位第一及第二光学单元。一种矽结晶系统，包含：一雷射束产生器，其产生一雷射束；一分束器，其用于将雷射束分成复数射束；第一及第二光学单元，其用于控制分束器之射束；及一平台，其用于安装一面板，面板包括一非晶矽层，供由分束器之射束予以多晶化，其中来自该第一光学单元之雷射束与来自该第二光学单元之雷射束具有不同形状。如申请专利范围第12项之矽结晶系统，其中第一光学单元使射束具有一横缘及一较长于横缘之纵缘，及第二光学单元使射束具有一横缘及一较短于横缘之纵缘。如申请专利范围第13项之矽结晶系统，其中来自第一及第二光学单元之射束具有长方形状。如申请专利范围第14项之矽结晶系统，其中面板包含一显示面板，其包括一显示区、一闸极驱动电路区、及一资料驱动电路区。如申请专利范围第15项之矽结晶系统，其中显示区及闸极驱动电路区系由第一光学单元所控制之射束照射，且资料驱动电路区系由第二光学单元所控制之射束照射。如申请专利范围第16项之矽结晶系统，其中显示区及闸极驱动电路区系透过一二次投射遮罩而照射，且资料驱动电路区系透过一多次投射遮罩而照射。如申请专利范围第17项之矽结晶系统，其中二次投射遮罩具有复数隙缝，用于界定出透射射束之区域及形成二列，且二列中之隙缝系错开。如申请专利范围第18项之矽结晶系统，其中二列中之隙缝系错开一等于隙缝宽度之距离。如申请专利范围第19项之矽结晶系统，其中多次投射遮罩具有复数隙缝，用于界定出透射雷射束之区域及形成三或多列，且相邻列中之隙缝系错开。如申请专利范围第20项之矽结晶系统，其中相邻列中之隙缝系错开一等于或小于隙缝一半宽度之距离。一种矽结晶之方法，该方法包含：沉积一非晶矽层于一基板上，其具有一显示区、一闸极驱动电路区、及一资料驱动电路区；将一第一雷射束透过一具有复数隙缝可供透射第一雷射束之第一遮罩，以照射于非晶矽层之显示区及闸极驱动区上；将一第二雷射束透过一具有复数隙缝可供透射第二雷射束之第二遮罩，以照射于非晶矽层之资料驱动区上；及将非晶矽层结晶，其中第一及第二雷射束之形状不同。如申请专利范围第22项之方法，其中第一雷射束具有一横缘及一较长于横缘之纵缘，及第二雷射束具有一横缘及一较短于横缘之纵缘。如申请专利范围第23项之方法，其中第一及第二遮罩之隙缝形成复数列，且诸列中之隙缝系错开。如申请专利范围第24项之方法，其中第一遮罩之隙缝形成二列，且第二遮罩之隙缝形成至少三列。如申请专利范围第22项之方法，其中第一及第二雷射束系选择性产生自单一初始雷射束。如申请专利范围第22项之方法，其中第一及第二雷射束系藉由将单一初始雷射束分束而同时产生。 |
