发明名称 非挥发性储存器以及该非挥发性储存器之抹除控制方法
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.05.11
申请号 TW096124086 申请日期 2007.07.03
申请人 史班逊有限公司 发明人 长尾光洋;新实正博;永井贤治
分类号 G11C16/04 主分类号 G11C16/04
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区博爱路35号9楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼
主权项 一种非挥发性储存器,具有多个在抹除操作中各用作为一单位的区块以及连续执行多个抹除操作,该非挥发性储存器包括:用于储存抹除设定资讯于每一区块的挥发性记忆格阵列,该抹除设定资讯表示与其关联的区块是否为待抹除目标;用于写入该抹除设定资讯于该挥发性记忆格阵列中的写入放大器;第一读出放大器,用于根据该抹除操作从该挥发性记忆格阵列读出目标区块的该抹除设定资讯;以及第二读出放大器,用于根据读出操作从该挥发性记忆格阵列读出目标区块的该抹除设定资讯。如申请专利范围第1项之非挥发性储存器,其中,在该抹除操作之前,该抹除设定资讯系储存于该挥发性记忆格阵列中。如申请专利范围第1项之非挥发性储存器,其中,在连续执行该等抹除操作时,执行该读出操作。如申请专利范围第1项之非挥发性储存器,其中,该挥发性记忆格阵列使用用于识别各个区块的区块位址作为与该区块关联之该抹除设定资讯的储存器位址。如申请专利范围第1项之非挥发性储存器,复包括:用于使该挥发性记忆格阵列与该第一读出放大器连接的第一资料线;以及用于使该挥发性记忆格阵列与该第二读出放大器连接的第二资料线。如申请专利范围第5项之非挥发性储存器,其中,该写入放大器系连接至该第一资料线或该第二资料线。如申请专利范围第5项之非挥发性储存器,其中,该挥发性记忆格阵列包括:复数个第一选择闸,该等第一选择闸之各者系根据指定该抹除操作之目标区块的区块位址而被选定,且该等第一选择闸之各者系用于使记忆格与该第一资料线连接;以及,复数个第二选择闸,该等第二选择闸之各者系根据指定该读出操作之目标区块的区块位址而被选定,且该等第二选择闸之各者系用于使记忆格与该第二资料线连接。如申请专利范围第7项之非挥发性储存器,复包括:匹配检测单元,当以独立的时序(timing)来分别执行该抹除操作与该读出操作时,该匹配检测单元系用于检测指定该抹除操作之目标区块的区块位址与指定该读出操作之目标区块的区块位址之间之匹配;选择闸控制单元,用于根据由该匹配检测单元执行之匹配检测的结果而不选择根据区块位址所选定的该等第一及第二选择闸中之任一者;以及放大器输出控制单元,用于从与该等第一或第二选择闸连接之该第一或第二读出放大器输出一输出讯号作为该第一及第二读出放大器的输出讯号,该等第一或第二选择闸系根据由该匹配检测单元执行匹配检测的结果而保持于选定状态。一种用于非挥发性储存器的抹除控制方法,该非挥发性储存器具有多个在抹除操作中各用作为一单位的区块以及连续执行多个抹除操作,该方法包括下列步骤:储存抹除设定资讯于挥发性记忆格阵列中之每一区块,该抹除设定资讯表示与其关联的区块是否为待抹除目标;在该抹除操作开始后,即通过第一路径从该储存之抹除设定资讯中读出目标区块的该抹除设定资讯;以及在读出操作开始后,即通过第二路径从该储存之抹除设定资讯中读出目标区块的该抹除设定资讯。如申请专利范围第9项之用于非挥发性储存器的抹除控制方法,其中,在连续执行该等抹除操作时,执行该读出操作。如申请专利范围第9项之用于非挥发性储存器的抹除控制方法,其中,在储存抹除设定资讯的该步骤中,用于指定各个区块的区块位址系使用作为与该区块关联之该抹除设定资讯的储存器位址。如申请专利范围第9项之用于非挥发性储存器的抹除控制方法,其中,在储存抹除设定资讯的该步骤中,该抹除设定资讯系通过该第一或第二路径来储存。如申请专利范围第9项之用于非挥发性储存器的抹除控制方法,该方法复包括下列步骤:当以独立的时序来分别执行该抹除操作与该读出操作时,检测指定该抹除操作之目标区块的区块位址与指定该读出操作之目标区块的区块位址之间之匹配;根据在该匹配检测步骤中执行匹配检测的结果,不选择根据该区块位址选定的该第一及第二路径中之任一者;以及根据在该匹配检测步骤中执行匹配检测的结果,判断从保持于选定状态之该第一及第二路径中任一者读出的抹除设定资讯为用于该抹除操作及该读出操作的该抹除设定资讯。
地址 美国