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L'invention concerne une diode de protection bi-directionnelle verticale comprenant, sur un substrat (1) fortement dopé d'un premier type de conductivité, des première (3), deuxième (4) et troisième (5) régions des premier, deuxième et premier types de conductivité, ces régions ayant toutes un niveau de dopage supérieur à 2 à 5x1019 atomes par cm3 et étant délimitées latéralement par une tranchée isolée (7), chacune des ces régions ayant une épaisseur inférieure à 4 µm.
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