发明名称 SUBSTRAT HYBRIDE A ISOLATION AMELIOREE ET PROCEDE DE REALISATION SIMPLIFIE D'UN SUBSTRAT HYBRIDE
摘要 <p>Un substrat hybride comporte des première (1) et seconde (3) zones actives en matériaux semi-conducteur décalées latéralement et séparées par une zone d'isolation (5). Les surfaces principales de la zone d'isolation (5) et de la première zone active (1) forment un plan. Le substrat hybride est obtenu à partir d'un substrat souche comportant successivement des couches en premier (2) et second (4) matériaux semi-conducteurs séparées par une couche d'isolation (6). Un unique masque de gravure est utilisé pour structurer la zone d'isolation (5), la première zone active (1) et la seconde zone active (3). La surface principale de la première zone active (1) est libérée formant ainsi des zones vides dans le substrat souche. Le masque de gravure est éliminé au dessus de la première zone active (1). Un premier matériau d'isolation est déposé, aplani et gravé jusqu'à libérer la surface principale de la première zone active (1).</p>
申请公布号 FR2954584(A1) 申请公布日期 2011.06.24
申请号 FR20090006233 申请日期 2009.12.22
申请人 COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE;STMICROELECTRONICS SA 发明人 FENOUILLET BERANGER CLAIRE;DENORME STEPHANE;CORONEL PHILIPPE
分类号 H01L21/762;H01L23/12 主分类号 H01L21/762
代理机构 代理人
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