以密闭式结构增加通道密度之次微米平面高功率半导体元件

摘要

一种位于一半导体基底上之半导体功率元件，其包含有数个电晶体晶胞，而每一个晶胞具有一源极与一汲极区域，其系位于半导体基底上之一闸极区域的两侧。一闸极电极以一电极层方式形成于闸极区域上，以控制源极与汲极区域间的电流。位于该半导体基底上的闸极电极层被图案化为像波形状长条，以本质上增加源极与汲极区域间越过闸极的电流传导面积。