可变电阻元件、其制造方法及不挥发性半导体记忆装置

摘要

本发明提供一种可高速且低消耗电力动作之可变电阻元件。本发明之可变电阻元件系在第1电极11与第2电极12之间具有金属氧化物层10，且依据对于第1及第2电极间之电性应力之施加，而第1及第2电极间之电阻可逆性变化，且金属氧化物层10具有流经第1及第2电极间之电流之电流密度局部性变高之电流路径即细丝13，在第1电极与第2电极中之至少任一方之特定电极11与金属氧化物层10之界面，且至少包含特定电极11与细丝13之界面附近之一部分，具备包含于特定电极11之至少1个元素之氧化物，且与金属氧化物层10之氧化物相异之界面氧化物15。