一种于氮化物半导体进行蚀刻的方法

摘要

本发明于氮化镓层上形成介电层，利用曝光以及显影蚀刻制程使该介电层形成条状或点状之图形，并以该介电层作为后续氮化镓层进行侧向成长(Epitaxy Lateral Overgrowth)之遮罩，在氮化镓层上方长成氮化镓厚膜，接着以湿蚀刻方式将介电层移除，并蚀刻介电层上方之氮化镓厚膜，以形成所需之特定形状。