| 摘要 |
本发明之课题在于令非挥发性半导体记忆装置的特性提升。;本发明之解决手段是在具有：由用以储存电荷的氮化矽膜SIN与位于其上下之氧化膜BOTOX、TOPOX所构成的ONO膜、和其上部的记忆闸极电极MG、和在其侧部介由ONO膜而设置的选择闸极电极SG、和位于其下部的闸极绝缘膜SGOX、和源极区域MS及汲极区域MD之记忆单元(memory cell)的源极区域MS上施加正电位，在记忆闸极电极MG上施加负电位，在选择闸极电极SG上施加正电位，接着，一边将电子从汲极区域MD流入源极区域MS，一边将藉由BTBT所产生的电洞植入氮化矽膜SIN，以进行抹除。 |
