高耐压沟槽型金氧半导体电晶体及其制造方法

摘要

本发明之高耐压电晶体包含：设于形成在半导体基板之沟槽之闸极电极；在闸极电极之两侧，由闸极电极分别空开特定间隔而形成之源极及汲极；沿着沟槽之源极侧之侧壁及沟槽之汲极侧之侧壁而形成之电场缓和层；及形成于闸极电极与源极之间、及闸极电极与汲极之间之电场缓和层。