| 摘要 |
本发明提供一种制造一半导体晶片之方法，其包括在一光传输支撑上施加一光热转换层，但是在辐射能量之照射上，该光热转换层将该辐射能量转换成热且因热而分解；藉由将该电路表面及该光热转换层彼此相向放置，该半导体晶圆和该光传输支撑可经由一光固化黏着剂而予分层，藉此形成一在外侧具有一非电路表面之分层主体；研磨该半导体晶圆之该非电路表面直到该半导体晶圆达到所需厚度；从该非电路表面侧边切割该经研磨之半导体晶圆，并将其切成复数个半导体晶片；从该光传输支撑侧边照射辐射能量以分解该光热转换层，藉此导致分离成一具有该黏着剂层之半导体晶片及一光传输支撑；以及选择性地从该等半导体晶片移除该黏着剂层。 |
