含有糊精酯化合物之形成下层膜之组成物

摘要

本发明提供，于制造半导体装置之微影制程中所使用的微影用形成下层膜组成物，及具有比光阻大之乾式蚀刻速度，不与光阻起内混合作用的微影用下层膜。;其系含有羟基之至少50%由成为酯基的糊精酯化合物、交联性化合物、及有机溶剂之微影用形成下层膜组成物。