发明名称 |
在电子元件上形成气体阻障层的方法 |
摘要 |
本发明提供一种在电子元件上形成气体阻障层的方法,包括:提供第一基板,其上具有至少一电子元件;提供第二基板,形成气体阻障层于第二基板之上;将第二基板设置于第一基板之上,其中气体阻障层面对电子元件;提供电磁波光源,设置于第二基板之上;以及以电磁波光源照射第二基板,将气体阻障层转移至电子元件之上,覆盖电子元件。 |
申请公布号 |
TWI360862 |
申请公布日期 |
2012.03.21 |
申请号 |
TW097142036 |
申请日期 |
2008.10.31 |
申请人 |
财团法人工业技术研究院 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |
发明人 |
陈辉达;张均豪;刘松河;曾俊豪 |
分类号 |
H01L21/764;H01L51/00 |
主分类号 |
H01L21/764 |
代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
主权项 |
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地址 |
新竹县竹东镇中兴路4段195号 |