发明名称 场发射电子源的制备方法
摘要 本发明涉及一种场发射电子源的制备方法,其具体包括以下步骤:提供一奈米碳管阵列形成于一基底;采用一拉伸工具从奈米碳管阵列中拉取奈米碳管获得一奈米碳管薄膜或者一奈米碳管丝;通过使用有机溶剂或者施加机械外力处理该奈米碳管薄膜或者奈米碳管丝得到一奈米碳管长线;将该奈米碳管长线通电流加热熔断,在熔断处形成多个场发射尖端;以及将该熔断后的奈米碳管长线设置于导电基体上即得到场发射电子源。
申请公布号 TWI362684 申请公布日期 2012.04.21
申请号 TW096142408 申请日期 2007.11.09
申请人 鸿海精密工业股份有限公司 新北市土城区自由街2号 发明人 魏洋;刘亮;范守善
分类号 H01J9/02 主分类号 H01J9/02
代理机构 代理人
主权项
地址 新北市土城区自由街2号